[发明专利]半导体反应腔室及半导体加工设备

说明书

本发明公开一种半导体反应腔室及半导体加工设备，半导体反应腔室包括腔体、静电卡盘、功能接线、抽气装置和/或充气装置；腔体围成内腔；静电卡盘位于内腔中，静电卡盘包括基体和功能层，功能层设置于基体上，且基体与功能层通过粘接固定，基体开设有接线通道，功能层覆盖在接线通道的端口，且与基体围成容纳腔；功能接线穿过接线通道，且与功能层接触；抽气装置与容纳腔连通且用于对容纳腔抽真空；和/或，充气装置与容纳腔连通且用于对容纳腔充气。本方案能够解决由于半导体反应腔室内部与静电卡盘的容纳腔内部的气压不均衡，导致静电卡盘各部件的连接可靠性较低的问题。

技术领域

本发明涉及半导体加工设备技术领域，尤其涉及一种半导体反应腔室及半导体加工设备。

背景技术

包括静电卡盘的半导体加工设备广泛地应用于诸如等离子刻蚀、物理气相沉积、化学气相沉积等制造集成电路的工艺中。静电卡盘设置于半导体加工设备的半导体反应腔室内，静电卡盘用于固定、支撑以及传送加工件，同时，静电卡盘还能为加工件提供直流偏压并控制加工件的表面温度。

通常，静电卡盘包括基体和功能层，功能层一般通过粘接层固定在基体上，基体设置有多个接线通道，接线通道用于功能接线穿过，以使功能接线能够与功能层接触，从而检测承载于静电卡盘上的加工件的温度，或者，用于控制功能层中的加热器，进而对静电卡盘上的加工件进行加热等。

但是，在具体的工作过程中，半导体加工设备中的半导体反应腔室内部通常处于真空状态，而基体与功能层围成的容纳腔内为大气压状态，此种情况使得容纳腔内的气压会对静电卡盘的多个部件产生力的作用，从而容易损坏基体与功能层之间的粘接性，进而影响静电卡盘整体的安装效果。

发明内容

本发明公开一种半导体反应腔室及半导体加工设备，以解决由于半导体反应腔室内部与静电卡盘的容纳腔内部的气压不均衡，导致静电卡盘各部件的连接可靠性较低的问题。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

一种半导体反应腔室，包括：

腔体，所述腔体围成内腔；

静电卡盘，所述静电卡盘设置于所述内腔中，所述静电卡盘包括基体和功能层，所述功能层设置于所述基体上，且所述基体与所述功能层通过粘接固定，所述基体开设有多个接线通道，所述功能层覆盖在所述接线通道的端口，且与所述基体围成容纳腔；

功能接线，所述功能接线穿过所述接线通道，且与所述功能层接触；

抽气装置，所述抽气装置与所述容纳腔连通且用于对所述容纳腔抽真空；和/或，

充气装置，所述充气装置与所述容纳腔连通且用于对所述容纳腔充气。

一种半导体加工设备，包括上述半导体反应腔室。

本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本发明实施例公开的半导体加工设备中，通过抽气装置能够将容纳腔内的至少部分气体抽出，或通过充气装置能够为容纳腔内通入气体，以使容纳腔内的气压能够与内腔中的气压相等，进而能够防止损坏基体与功能层之间的粘接性，以使基体与功能层之间的连接稳定性较好，以提高静电卡盘的使用寿命。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例公开的半导体反应腔室的剖视图；

图2为本发明实施例公开的半导体反应腔室的局部剖视图；

图3为本发明实施例公开的半导体反应腔室中，静电卡盘的结构示意图；

图4为图3在另一种视角下的结构示意图；