[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，该半导体装置包括：

第一有源区，该第一有源区被设置在基板的阱区上；

多个虚设有源区，所述多个虚设有源区围绕所述第一有源区设置；以及

栅极，该栅极被设置成横穿所述第一有源区；

其中，所述栅极的一部分被设置为与所述多个虚设有源区中的至少一个交叠，并且电联接到所述多个虚设有源区中的至少一个。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一有源区被设置在所述阱区的中心区域中，并且具有矩形形状。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

第二有源区，该第二有源区关于第二方向设置在所述第一有源区的一侧；以及

第三有源区，该第三有源区关于所述第二方向设置在所述第一有源区的另一侧。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述第二有源区和所述第三有源区各自具有在第一方向上延伸的线形状，并且所述第二有源区和所述第三有源区在所述第二方向上彼此隔开预定距离。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个虚设有源区包括：

第一虚设有源区，该第一虚设有源区关于第一方向设置在所述第一有源区的一侧；

第二虚设有源区，该第二虚设有源区关于所述第一方向设置在所述第一有源区的另一侧；

第三虚设有源区，该第三虚设有源区关于第二方向设置在所述第一有源区的一侧；以及

第四虚设有源区、第五虚设有源区和第六虚设有源区，该第四虚设有源区、该第五虚设有源区和该第六虚设有源区关于所述第二方向设置在所述第一有源区的另一侧，其中所述第四虚设有源区、所述第五虚设有源区和所述第六虚设有源区在所述第一方向上彼此隔开预定距离。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述第一虚设有源区和所述第二虚设有源区各自具有在所述第二方向上延伸的线形状，并且在所述第二方向上比所述第一有源区更长。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一虚设有源区和所述第二虚设有源区在所述第一方向上彼此隔开预定距离。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述第三虚设有源区在所述第一方向上设置在所述第一虚设有源区和所述第二虚设有源区之间。

9.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第三虚设有源区在所述第一方向上具有与所述第一有源区相同的宽度。

10.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第五虚设有源区电联接到所述栅极。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

栅极硅通孔，该栅极硅通孔穿过所述栅极并且联接到所述第五虚设有源区，并且被配置为使得所述第五虚设有源区能够联接到第一金属层。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

包括所述第一金属层的多个金属层，所述多个金属层形成在所述基板上方，

其中，所述第一金属层通过所述栅极硅通孔联接到所述栅极和所述第五虚设有源区，并且

所述多个金属层中的第二金属层通过接触件联接到所述第一有源区。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，

所述第一金属层沿垂直方向设置在所述栅极和所述第五虚设有源区上方；并且

所述第二金属层沿所述垂直方向设置在所述第一有源区上方。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

第三金属层，该第三金属层沿所述垂直方向形成在所述第二金属层上方。