[发明专利]堆叠管芯结构

说明书

一种堆叠管芯结构包含基础管芯、顶部管芯和电连接到顶部管芯的导电端子。基础管芯包含基础半导体衬底、安置在基础半导体衬底上的基础内连线层和安置在基础内连线层上的基础接合层。顶部管芯堆叠在基础管芯上且电连接到基础管芯，其中顶部管芯包含顶部接合层、顶部半导体衬底、顶部内连线层、顶部导电衬垫和顶部接地通孔。顶部接合层混合接合到基础接合层。顶部内连线层安置在顶部半导体衬底上，且包含介电层、嵌入介电层中的导电层和连接导电层的导电通孔。导电衬垫和顶部接地通孔嵌入介电层中且安置在导电层上。

技术领域

本公开是涉及一种堆叠管芯结构和其制造方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用(如个人计算机、移动电话、数码相机和其它电子设备)中。通常通过在半导体衬底上方依序沉积绝缘层或介电层、导电层和半导体材料层并且使用光刻将各种材料层图案化以在这些材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。许多半导体集成电路通常在单个半导体晶片上制造。可在晶片级处理和封装晶片的管芯，且已针对晶片级封装开发了各种技术。

发明内容

本公开实施例的一种堆叠管芯结构，包括：基础管芯、顶部管芯以及多个导电端子。所述基础管芯，包括基础半导体衬底、基础内连线层以及基础接合层。基础内连线层安置在所述基础半导体衬底上。基础接合层安置在所述基础内连线层上且电连接到所述基础内连线层。顶部管芯堆叠在所述基础管芯上且电连接到所述基础管芯，其中所述顶部管芯包括顶部接合层、顶部半导体衬底、顶部内连线层以及顶部导电衬垫和顶部接地通孔。顶部接合层混合接合到所述基础管芯的所述基础接合层。顶部半导体衬底安置在所述顶部接合层上。顶部内连线层安置在所述顶部半导体衬底上，其中所述顶部内连线层包括介电层、嵌入所述介电层中的多个导电层和连接所述多个导电层的多个导电通孔。顶部导电衬垫和顶部接地通孔嵌入所述介电层中且安置在所述多个导电层上。多个导电端子电连接到所述顶部管芯。

附图说明

在结合附图阅读时，根据以下详细描述最好地理解本公开的各方面。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征并未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是绘示根据本公开的一些示范性实施例的制造堆叠管芯结构的方法的工艺步骤的示范性流程图。

图2A到图2M是根据本公开的一些示范性实施例的制造堆叠管芯结构的方法中的各个阶段的示意性截面视图。

图3是根据本公开的一些其它示范性实施例的堆叠管芯结构的示意性截面视图。

图4是根据本公开的一些其它示范性实施例的堆叠管芯结构的示意性截面视图。

图5A和图5B是根据本公开的一些其它示范性实施例的制造堆叠管芯结构的方法中的各个阶段的示意性截面视图。

图6A和图6B是根据本公开的一些其它示范性实施例的制造堆叠管芯结构的方法中的各个阶段的示意性截面视图。

图7A和图7G是根据本公开的一些其它示范性实施例的制造堆叠管芯结构的方法中的各个阶段的示意性截面视图。

附图标号说明

102：载体衬底；

104：导电材料层；

106：载体接触层；

106A、108A：刻蚀终止层；

106B、108B、212A、512A：介电层；

106C：接触结构；

108：载体接合层；

108C、208A、308A、312A、312B、508A：接合膜；

108D：载体接合衬垫；