[发明专利]亲水性基材及亲水性基材的制作方法

权利要求书

1.一种亲水性基材，其特征在于，在亲水化处理后的基材表面的至少一部分上形成有亲水性硅烷化合物层。

2.根据权利要求1所述的亲水性基材，其中，所述亲水化处理是碱溶液处理。

3.根据权利要求1所述的亲水性基材，其中，所述亲水化处理是选自紫外线照射处理、电子束照射处理、离子照射处理和等离子体处理中的至少一种。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的亲水性基材，其中，所述亲水性硅烷化合物层是用亲水性硅烷化合物溶液和/或亲水性硅烷化合物分散液形成的。

5.根据权利要求4所述的亲水性基材，其中，所述亲水性硅烷化合物层是在实施所述亲水化处理后，在3小时以内开始用所述亲水性硅烷化合物溶液和/或所述亲水性硅烷化合物分散液进行处理而形成的。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的亲水性基材，其中，所述亲水性硅烷化合物层是用下述式(I)所示的亲水性硅烷化合物形成的，

式中，R¹¹表示1价烃基，R¹²和R¹³相同或不同，表示2价烃基，X¹¹相同或不同，表示烷氧基，X¹²相同或不同，表示1价烃基或卤素，m表示1～50，n表示0～3。

7.根据权利要求6所述的亲水性基材，其中，所述式(I)所示的硅烷化合物是下述式(I-1)所示的化合物，

R²¹-O-(C_pH_2pO)_m-(CH₂)_k-Si(X¹¹)_n(X¹²)_3-n (I-1)

式中，R²¹表示甲基或乙基，X¹¹相同或不同，表示烷氧基，X¹²相同或不同，表示1价烃基或卤素，p表示1～8，m表示1～50，n表示0～3，k表示1～20。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的亲水性基材，其中，所述亲水性硅烷化合物层上吸附有纤连蛋白。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的亲水性基材，其中，所述亲水性硅烷化合物层的厚度为1～50nm。

10.一种亲水性基材制作方法，其中，在对基材表面进行亲水化处理后，在实施了所述亲水化处理的亲水化处理表面的至少一部分上形成亲水性硅烷化合物层。

11.根据权利要求10所述的亲水性基材制作方法，其中，所述亲水化处理是碱溶液处理。

12.根据权利要求10所述的亲水性基材制作方法，其中，所述亲水化处理是选自紫外线照射处理、电子束照射处理、离子照射处理及等离子体处理中的至少一种。

13.根据权利要求10～12中任一项所述的亲水性基材制作方法，其中，所述亲水性硅烷化合物层是用亲水性硅烷化合物溶液和/或亲水性硅烷化合物分散液形成的。

14.根据权利要求13所述的亲水性基材制作方法，其中，所述亲水性硅烷化合物层是在实施所述亲水化处理后，在3小时以内开始用所述亲水性硅烷化合物溶液和/或所述亲水性硅烷化合物分散液进行处理而形成的。