[发明专利]亲水性基材及亲水性基材的制作方法

说明书

本发明的课题在于提供一种形成有表面的凹凸性少、平滑性高的亲水性硅烷化合物层的亲水性基材及其制作方法。其解决手段为，在亲水化处理后的基材表面的至少一部分上形成有亲水性硅烷化合物层的亲水性基材。

技术领域

本发明涉及在亲水化处理后的基材表面上形成有亲水性硅烷化合物层的亲水性基材及其制作方法。

背景技术

为了制作用于捕捉血液和体液中的特定细胞(血球细胞、血液/体液中存在的癌细胞等)的器具，提出了用特殊的高分子涂布基材表面的技术。

但是，在特殊的高分子中，有的难以通过涂布制作平滑的表面，由于表面的凹凸性影响特定细胞的捕捉性能，因此希望提供一种形成有癌细胞等特定细胞的捕捉性能等优异的凹凸性被控制的表面的基材(参照专利文献1等)。另外，由于通常在水溶液中进行特定细胞的捕捉，因此还希望提供具有在水溶液中的表面的凹凸性和平滑性被控制的表面的基材。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]JP特表2005-523981号公报

发明内容

[发明要解决的课题]

本发明的目的在于解决上述课题，提供形成有表面的凹凸性少、平滑性高的亲水性硅烷化合物层的亲水性基材及其制作方法。

[解决课题的手段]

本发明涉及在亲水化处理后的基材表面的至少一部分上形成有亲水性硅烷化合物层的亲水性基材。

在所述亲水性基材中，所述亲水化处理优选为碱溶液处理。

在所述亲水性基材中，所述亲水化处理优选为选自紫外线照射处理、电子束照射处理、离子照射处理及等离子体处理中的至少一种。

在所述亲水性基材中，所述亲水性硅烷化合物层优选是用亲水性硅烷化合物溶液和/或亲水性硅烷化合物分散液形成的。

在所述亲水性基材中，所述亲水性硅烷化合物层优选是在实施所述亲水化处理后，在3小时以内开始用所述亲水性硅烷化合物溶液和/或所述亲水性硅烷化合物分散液进行处理而形成的。

在所述亲水性基材中，所述亲水性硅烷化合物层优选是用下述式(I)所示的亲水性硅烷化合物形成的。

(式中，R¹¹表示1价烃基。R¹²和R¹³相同或不同，表示2价烃基。X¹¹相同或不同，表示烷氧基。X¹²相同或不同，表示1价烃基或卤素。m表示1～50。n表示0～3。)

在上述亲水性基材中，上述式(I)表示的硅烷化合物优选为下述式(I-1)表示的化合物。

R²¹-O-(C_pH_2pO)_m-(CH₂)_k-Si(X¹¹)_n(X¹²)_3-n (I-1)

(式中，R²¹表示甲基或乙基。X¹¹相同或不同，表示烷氧基。X¹²相同或不同，表示1价烃基或卤素。p表示1～8。m表示1～50。n表示0～3。k表示1～20。)

在所述亲水性基材中，优选在所述亲水性硅烷化合物层吸附有纤连蛋白。

在所述亲水性基材中，所述亲水性硅烷化合物层的厚度优选为1～50nm。