[发明专利]一种氧化银薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010864474.6 申请日: 2020-08-25
公开(公告)号: CN111893428B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 徐伟;黄冬梅;张庆瑜;暹娜塔·塞拉帕帕;凯维吉特·伦纳帕;申渝;王建辉;陈佳;梅远飞;高旭;范聪;张冰;郭智威 申请(专利权)人: 重庆工商大学;重庆大学;重庆南向泰斯环保技术研究院有限公司
主分类号: C23C8/36 分类号: C23C8/36
代理公司: 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 代理人: 艾诚璐
地址: 400067 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化银 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种氧化银薄膜的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:

A、准备实验箱,实验箱内安装有等离子发生器,将带有银膜的基片固定在实验箱内;

B、对基片进行加热;

C、向实验箱内冲入氧气或氧气与惰性气体的混合气体,给等离子发生器通电,产生氧等离子体;

D、使带有银膜的基片浸润到等离子体中,银膜在氧等离子体的作用下形成薄膜;

所述薄膜具有纳米多孔结构,或表面分布纳米块状结构,或表面分布纳米片状结构;

在实验箱气压为0.3Pa,氧等离子体中氧原子密度为3.3×1012cm-3,基片温度为40和80℃时,银膜氧化成表面均匀分布纳米块状结构的AgO薄膜;基片温度为150℃时,银膜氧化成具有纳米多孔结构的Ag2O薄膜;

在基片温度为40℃,氧等离子体中氧原子密度为1.0×1013cm-3~3.0×1014cm-3,实验箱内气压为1Pa和10Pa时,银膜被氧化成表面分布纳米片状结构的AgO薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种氧化银薄膜的制备方法,其特征在于:所述薄膜为Ag2O薄膜或AgO薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种氧化银薄膜的制备方法,其特征在于:所述基片的厚度为300nm,氧化时间为30min。

4.根据权利要求3所述的一种氧化银薄膜的制备方法,其特征在于:实验箱的气压为1Pa时,所述纳米片状结构的平均高度为240nm;实验箱的气压为10Pa时,所述纳米片状结构的平均高度为430nm。

5.根据权利要求3所述的一种氧化银薄膜的制备方法,其特征在于:在基片温度为40℃,氧等离子体中氧原子密度为1.0×1013cm-3~3.0×1014cm-3,实验箱内气压为20Pa和50Pa时,银膜被氧化成具有纳米多孔结构的AgO薄膜。

6.根据权利要求1所述的一种氧化银薄膜的制备方法,其特征在于:所述实验箱内设置有用于固定基片的样品托盘,样品托盘转动连接在实验箱顶部,样品托盘设置有加热器,所述等离子发生器位于样品托盘下方。

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