[发明专利]一种氧化银薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种氧化银薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

A、准备实验箱，实验箱内安装有等离子发生器，将带有银膜的基片固定在实验箱内；

B、对基片进行加热；

C、向实验箱内冲入氧气或氧气与惰性气体的混合气体,给等离子发生器通电，产生氧等离子体；

D、使带有银膜的基片浸润到等离子体中，银膜在氧等离子体的作用下形成薄膜；

所述薄膜具有纳米多孔结构，或表面分布纳米块状结构，或表面分布纳米片状结构；

在实验箱气压为0.3Pa，氧等离子体中氧原子密度为3.3×10¹²cm^-3，基片温度为40和80℃时，银膜氧化成表面均匀分布纳米块状结构的AgO薄膜；基片温度为150℃时，银膜氧化成具有纳米多孔结构的Ag₂O薄膜；

在基片温度为40℃，氧等离子体中氧原子密度为1.0×10¹³cm^-3～3.0×10¹⁴cm^-3，实验箱内气压为1Pa和10Pa时，银膜被氧化成表面分布纳米片状结构的AgO薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种氧化银薄膜的制备方法，其特征在于：所述薄膜为Ag₂O薄膜或AgO薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种氧化银薄膜的制备方法，其特征在于：所述基片的厚度为300nm，氧化时间为30min。

4.根据权利要求3所述的一种氧化银薄膜的制备方法，其特征在于：实验箱的气压为1Pa时，所述纳米片状结构的平均高度为240nm；实验箱的气压为10Pa时，所述纳米片状结构的平均高度为430nm。

5.根据权利要求3所述的一种氧化银薄膜的制备方法，其特征在于：在基片温度为40℃，氧等离子体中氧原子密度为1.0×10¹³cm^-3～3.0×10¹⁴cm^-3，实验箱内气压为20Pa和50Pa时，银膜被氧化成具有纳米多孔结构的AgO薄膜。

6.根据权利要求1所述的一种氧化银薄膜的制备方法，其特征在于：所述实验箱内设置有用于固定基片的样品托盘，样品托盘转动连接在实验箱顶部，样品托盘设置有加热器，所述等离子发生器位于样品托盘下方。