[发明专利]一种氧化银薄膜的制备方法

说明书

本发明涉及材料制备技术领域，具体为一种氧化银薄膜的制备方法，包括如下步骤：A、准备实验箱，实验箱内安装有等离子发生器，将带有银膜的基片固定在实验箱内；B、对基片进行加热；C、向实验箱内冲入氧气或氧气与惰性气体的混合气体,给等离子发生器通电，产生氧等离子体；D、使带有银膜的基片浸润到等离子体中，银膜在氧等离子体的作用下形成薄膜。本发明制备出来的氧化银薄膜具有不同的纳米结构，能够解决普通致密薄膜应用时比表面积低、反应位点少的问题。

技术领域

本发明涉及薄膜材料制备技术领域，具体为一种氧化银薄膜的制备方法。

背景技术

氧化银薄膜，其表面效应、广谱强抑菌性、光催化活性、强氧化性、强吸光性等特性，使其在医疗、化工、储能、传感等领域应用广泛。

现有技术中，氧化银薄膜多通过物理气相沉积和化学气象沉积方法制备，采用现有技术制备的氧化银薄膜比较致密，并无纳米结构，影响其在实际应用中的物理、化学性质。例如在作为光催化薄膜运用时，这种致密结构的氧化银薄膜对光子的吸收能力差、与反应物接触面积小，影响光催化薄膜的降解效率。

发明内容

本发明意在提供一种氧化银薄膜的制备方法，以解决现有的制备方法难以制备出具有纳米多孔结构的氧化银薄膜的问题。

为了达到上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种氧化银薄膜的制备方法，包括如下步骤：

A、准备实验箱，实验箱内安装有等离子发生器，将带有银膜的基片固定在实验箱内；

B、对基片进行加热；

C、向实验箱内冲入氧气或氧气与惰性气体的混合气体,给等离子发生器通电，产生氧等离子体；

D、使带有银膜的基片浸润到等离子体中，银膜在氧等离子体的作用下形成薄膜。

本方案的原理和有益效果为：

基片作为银膜的载体，将基片置于实验箱内，能够给银膜提供一个相对密封的氧化环境，从而便于控制氧等离子体的量以及基片的加热温度。本方案使处于一定温度的带有银膜的基片，在氧等离子体的作用下直接氧化形成氧化银薄膜，相比现有技术通过物理气相沉积或化学气相沉积在基片上沉积氧化银薄膜的方法而言，不仅降低了设备的成本，且制备的氧化银薄膜具有不同纳米结构，能够提高其物理和化学性质，在实际运用时更受欢迎。

进一步，薄膜具有纳米多孔结构，或表面分布纳米块状结构，或表面分布纳米片状结构。

有益效果：不管是具有纳米多孔结构还是表面分布块状和片状结构，相比现有技术中致密结构的薄膜而言，本方案制备的薄膜在实际运用时反应面积均得到了有效的增大，提高了其应用时的反应速度，薄膜的性质更优。

进一步，薄膜为Ag₂O薄膜或AgO薄膜。

有益效果：本发明的方法不仅能够制备出Ag₂O薄膜，还能够制备出AgO薄膜，适用范围广。

进一步，基片的厚度为300nm，氧化时间为30min。

有益效果：如此设置能够更好的氧化银膜。

进一步，在实验箱气压为0.3Pa，氧等离子体中氧原子密度为3.3×10¹²cm^-3，基片温度为40和80℃时，银膜氧化成表面均匀分布纳米块状结构的AgO薄膜。

有益效果：在此条件下，能够得到表面均匀分布纳米块状结构的AgO薄膜。

进一步，在实验箱气压为0.3Pa，氧等离子体中氧原子密度为3.3×10¹²cm^-3，基片温度为150℃时，银膜氧化成具有纳米多孔结构的Ag₂O薄膜。