[发明专利]一种半导体框架在审

专利信息
申请号: 202010865831.0 申请日: 2020-08-25
公开(公告)号: CN112002683A 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 刘明平 申请(专利权)人: 湖南方彦半导体有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 深圳知帮办专利代理有限公司 44682 代理人: 李赜
地址: 416000 湖南省湘西土家族*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 框架
【说明书】:

发明涉及半导体附属装置的技术领域,特别是涉及一种半导体框架,简化安装工艺,提高强度以及散热效果;包括多个框架单元,多个框架单元安装在外框上,框架单元包括用于在其上安装半导体芯片的平台、布置在平台周边的多条引线、用于互连该些引线的多个引线互连部件以及安装在平台边缘区域的塑胶框架。

技术领域

本发明涉及半导体附属装置的技术领域,特别是涉及一种半导体框架。

背景技术

众所周知,引线框架作为集成电路的芯片载体,它起到和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,它是电子信息产业中重要的基础材料。

目前市场上智能传感芯片引线框架主要以DIP直插封装为主体积大,没有大面积接地面,散热差,装配的可自动化操作性不佳,原材料及能源消耗大,封装人工成本居高不下。

发明内容

为解决上述技术问题,本发明提供一种半导体框架,简化安装工艺,提高强度以及散热效果。

本发明的一种半导体框架,包括多个框架单元,多个框架单元安装在外框上,框架单元包括用于在其上安装半导体芯片的平台、布置在平台周边的多条引线、用于互连该些引线的多个引线互连部件以及安装在平台边缘区域的塑胶框架。

本发明的一种半导体框架,所述平台材质为析出强化型合金,加入稀土元素,并经过形变强化、固溶强化、晶粒细化强化以及沉淀强化处理。

本发明的一种半导体框架,所述平台与外框之间填充透明环氧树脂。

本发明的一种半导体框架,所述塑胶框架通过注塑方式与平台连接。

与现有技术相比本发明的有益效果为:相对于DIP直插封装的方式来说,本装置可使用贴片的方式,直接将半导体芯片贴合在平台上,并且增加与电路板的接触面积,提高了散热性能,强化型合金经过形变强化、固溶强化、晶粒细化强化以及沉淀强化处理,提高平台的硬度,并且通过加入稀土元素,可提高到导电率。

附图说明

图1是本发明的结构示意图;

图2是框架单元的结构示意图;

图3是框架单元的结构示意图;

附图中标记:1、框架单元;2、外框;3、平台;4、引线;5、引线互连部件;6、塑胶框架。

具体实施方式

下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。

如图1至图3所示,本发明的本发明的一种半导体框架,包括多个框架单元1,多个框架单元1安装在外框2上,框架单元1包括用于在其上安装半导体芯片的平台3、布置在平台3周边的多条引线4、用于互连该些引线4的多个引线互连部件5以及安装在平台3边缘区域的塑胶框架6;相对于DIP直插封装的方式来说,本装置可使用贴片的方式,直接将半导体芯片贴合在平台3上,并且增加与电路板的接触面积,提高了散热性能。

本发明的一种半导体框架,平台3材质为析出强化型合金,加入稀土元素,并经过形变强化、固溶强化、晶粒细化强化以及沉淀强化处理;强化型合金经过形变强化、固溶强化、晶粒细化强化以及沉淀强化处理,提高平台3的强度,并且通过加入稀土元素,可提高到导电率。

本发明的一种半导体框架,平台3与外框2之间填充透明环氧树脂;增加芯片的感应面积。

本发明的一种半导体框架,塑胶框架6通过注塑方式与平台3连接;提高两者的连接可靠性。

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