[发明专利]一种In-cell触控基板及制作方法

权利要求书

1.一种In-cell触控基板制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基板上制作薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括源极、漏极和第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述源极和所述漏极；

制作有机平坦层，并在有机平坦层上制作第一孔，第一孔的孔底为第一绝缘层，且第一孔位于所述源极或者所述漏极的区域上方；

在第一孔中的第一绝缘层上制作第二孔，第二孔的孔底为所述源极或者所述漏极；

制作搭接金属层和触控金属层，所述搭接金属层通过所述第二孔连接所述源极或者所述漏极，触控金属层位于所述第一孔的一侧；

制作第二绝缘层，并在触控金属层区域的第二绝缘层上制作孔，第二绝缘层上的孔的孔底为触控金属层；

制作公共电极，所述公共电极通过第二绝缘层上的孔连接触控金属层；

制作第三绝缘层，并在搭接金属层区域的第三绝缘层上制作第三孔，第三孔贯穿第二绝缘层且第三孔的孔底为搭接金属层；

制作像素电极，所述像素电极通过第三孔连接所述搭接金属层。

2.根据权利要求1所述的一种In-cell触控基板制作方法，其特征在于，所述制作第二孔时使用的光罩与所述制作第三孔时使用的光罩相同，用于让所述第二孔的形状与所述第三孔的形状相同。

3.根据权利要求1所述的一种In-cell触控基板制作方法，其特征在于，所述在第一孔中的第一绝缘层上制作第二孔时，还包括如下步骤：

通过干法蚀刻的方式来制作第二孔。

4.根据权利要求1所述的一种In-cell触控基板制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅结构；

所述薄膜晶体管的栅极设置在所述基板上，所述薄膜晶体管的栅极绝缘层设置在所述栅极上，所述薄膜晶体管的有源层设置在所述栅极绝缘层上，且所述有源层位于所述栅极的上方，所述源极和所述漏极分别设置在所述有源层上。

5.根据权利要求1所述的一种In-cell触控基板制作方法，其特征在于，所述像素电极为ITO。

6.一种In-cell触控基板，其特征在于，包括：

在基板上设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极、漏极和第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述源极和所述漏极；

在第一绝缘层上设置有有机平坦层，所述有机平坦层上设置有第一孔，所述第一绝缘层上设置有第二孔，所述第二孔的孔底为所述源极或者所述漏极，所述第一孔连通到第二孔；

在有机平坦层上设置有搭接金属层和触控金属层，所述搭接金属层通过所述第二孔连接所述源极或者所述漏极，触控金属层位于所述第一孔的一侧；

在触控金属层和搭接金属层上设置有第二绝缘层；

在第二绝缘层上设置有公共电极，所述公共电极通过第二绝缘层上的孔连接触控金属层；

在公共电极上设置有第三绝缘层；

在所述第三绝缘层上设置有像素电极，第三绝缘层上设置有第三孔，第三孔贯穿第二绝缘层且第三孔的孔底为搭接金属层，所述像素电极通过第三孔连接所述搭接金属层。

7.根据权利要求6所述的一种In-cell触控基板，其特征在于，所述第二孔的形状与第三孔的形状相同。

8.根据权利要求6所述的一种In-cell触控基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅结构，所述薄膜晶体管还包括栅极、栅极绝缘层和有源层；

所述栅极设置在所述基板上，所述栅极绝缘层设置在所述栅极上，所述有源层设置在所述栅极绝缘层上，且所述有源层位于所述栅极的上方，所述源极和所述漏极分别设置在所述有源层上。

9.根据权利要求6所述的一种In-cell触控基板，其特征在于，所述像素电极为ITO。