[发明专利]一种In-cell触控基板及制作方法

说明书

本发明公布一种In‑cell触控基板及制作方法，其中制作方法包括，在基板上制作薄膜晶体管层；制作有机平坦层，并在有机平坦层上制作第一孔；在第一孔中的第一绝缘层上制作第二孔；制作搭接金属层和触控金属层；制作第二绝缘层；制作公共电极，所述公共电极通过第二绝缘层上的孔连接触控金属层；制作第三绝缘层，并在搭接金属层区域的第三绝缘层上制作第三孔，第三孔的孔底为搭接金属层；制作像素电极，所述像素电极通过第三孔连接所述搭接金属层。上述技术方案可以减小像素电极因为第三孔过深而发生断裂的风险，另一方面增加了器件的良率，赋予器件更强的竞争优势。

技术领域

本发明涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种In-cell触控基板及制作方法。

背景技术

现有的In-Cell技术是指将触摸面板功能嵌入到液晶像素中的方法，从而实现触摸面板部件与液晶面板一体化的设计。如已规模化应用于量产中的Mid-com In-cell技术，相较于Out cell的设计，所带来的最大优势就在于屏幕的轻薄化。在制程方面，In-cell技术仅仅只是增加了VA(无机层)和CM(触控金属层)两个Layer。然而，在实际的量产过程中发现，In-cell技术中膜层的增加会影响器件的良率，如最上层的像素电极(在图1中的标号为14)往往需要通过多道绝缘层的通孔与TFT器件的漏极(或者源极)相连接，结构如图1所示，从而对两电极之间的存储电容进行充电。而增加的膜层极易使绝缘层上的通孔的孔深变大，增加了像素电极断裂的风险。

发明内容

为此，需要提供一种In-cell触控基板及制作方法，解决采用In-Cell技术制作的触控面板中像素电极容易断裂的问题。

为实现上述目的，本实施例提供了一种In-cell触控基板制作方法，包括如下步骤：

在基板上制作薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括源极、漏极和第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述源极和所述漏极；

制作有机平坦层，并在有机平坦层上制作第一孔，第一孔的孔底为第一绝缘层，且第一孔位于所述源极或者所述漏极的区域上方；

在第一孔中的第一绝缘层上制作第二孔，第二孔的孔底为所述源极或者所述漏极；

制作搭接金属层和触控金属层，所述搭接金属层通过所述第二孔连接所述源极或者所述漏极，触控金属层位于所述第一孔的一侧；

制作第二绝缘层，并在触控金属层区域的第二绝缘层上制作孔，第二绝缘层上的孔的孔底为触控金属层；

制作公共电极，所述公共电极通过第二绝缘层上的孔连接触控金属层；

制作第三绝缘层，并在搭接金属层区域的第三绝缘层上制作第三孔，第三孔贯穿第二绝缘层且第三孔的孔底为搭接金属层；

制作像素电极，所述像素电极通过第三孔连接所述搭接金属层。

进一步地，所述制作第二孔时使用的光罩与所述制作第三孔时使用的光罩相同，用于让所述第二孔的形状与所述第三孔的形状相同。

进一步地，所述在第一孔中的第一绝缘层上制作第二孔时，还包括如下步骤：

通过干法蚀刻的方式来制作第二孔。

进一步地，所述薄膜晶体管为底栅结构；

所述薄膜晶体管的栅极设置在所述基板上，所述薄膜晶体管的栅极绝缘层设置在所述栅极上，所述薄膜晶体管的有源层设置在所述栅极绝缘层上，且所述有源层位于所述栅极的上方，所述源极和所述漏极分别设置在所述有源层上。

进一步地，所述像素电极为ITO。

本实施例还提供一种In-cell触控基板，包括：