[发明专利]阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区和开孔区，其特征在于，所述阵列基板的制备方法包括：

S1、提供衬底基板；

S2、在所述衬底基板一侧的表面上形成有源层；

S3、在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层；

S4、在上述步骤之后，通过蚀刻工艺在所述开孔区形成凹槽，所述凹槽自上而下贯穿所述功能膜层以及所述有源层，其中，所述凹槽位于所述开孔区内。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述蚀刻工艺为干法蚀刻工艺。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，S3中在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层包括：

在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层远离所述有源层一侧的表面上形成第一金属层；

其中，所述第一金属层包括栅极结构图案。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，S3中在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层还包括：

在所述第一金属层远离所述第一绝缘层一侧的表面上形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层远离所述第一金属层一侧的表面上形成第二金属层。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，S3中在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层还包括：

在所述第二金属层远离所述第二绝缘层一侧的表面上形成第三绝缘层，在所述第三绝缘层远离所述第二金属层一侧的表面上形成第三金属层；

其中，所述第三金属层通过贯穿所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的通孔电性连接所述有源层。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层分别为无机层。

7.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，S3中在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层还包括：

在所述第三金属层远离所述第三绝缘层一侧的表面上形成第一平坦化层，在所述第一平坦化层远离所述第三金属层一侧的表面上形成第四金属层；

其中，所述第四金属层通过贯穿所述第一平坦化层的通孔与所述第三金属层电性连接。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，S3中在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层还包括：

在所述第四金属层远离所述第一平坦化层一侧的表面上形成第二平坦化层，在所述第二平坦化层远离所述第四金属层一侧的表面上形成像素定义层；

其中，所述凹槽自上而下依次贯穿所述像素定义层、所述第二平坦化层、所述第一平坦化层、所述第三绝缘层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层以及所述有源层。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，形成所述像素定义层之前还包括：

在所述第二平坦层上远离所述第四金属层一侧的表面上形成阳极层，所述阳极层通过贯穿所述第二平坦层的通孔与所述第四金属层电性连接。

10.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，S2在所述衬底基板上形成有源层之前，还包括：

形成缓冲层于所述衬底基板一侧的表面上；

其中，所述缓冲层包括有机绝缘层和无机层，所述无机层设置于所述有机绝缘层和所述有源层之间，所述凹槽贯穿所述无机层，且贯穿部分所述有机绝缘层。