[发明专利]阵列基板的制备方法

说明书

本发明揭示了一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括：S1、提供衬底基板；S2、在所述衬底基板一侧的表面上形成有源层；S3、在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层；S4、在上述步骤之后，通过蚀刻工艺在所述开孔区形成凹槽，所述凹槽自上而下贯穿所述功能膜层以及所述有源层，其中，所述凹槽位于所述开孔区内。本发明提供一种阵列基板的制备方法，通过在有源层远离衬底基板的一侧表面上先制备各功能层，再通过蚀刻工艺蚀刻各功能层和有源层形成凹槽，凹槽位于阵列基板的开孔区内，克服了现有的阵列基板制备时，先蚀刻有源层，再制备各功能层，造成开孔区两侧的有源层沟道特性异常的问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别关于一种阵列基板的制备方法。

背景技术

全面屏的设计已经成为移动终端（智能手机）市场的主流设计。目前，为了进一步提升手机正面的屏占比，实现“真全面屏”显示，屏下摄像技术受到广泛关注。

屏下摄像技术主要是通过蚀刻工艺在显示面板上对应摄像头的位置，蚀刻出容纳孔，再将摄像模组放置于容纳孔中。

现有的形成容纳孔的蚀刻工艺，在基板1一侧的表面上形成有源层2，有源层2对应于摄像头容纳孔的位置上预先形成凹槽3，其中，凹槽3可以是通过蚀刻工艺形成的。此时，有源层2在平行于显示面板的源极走线，英文，Source Line（或者，也称为数据走线，英文，Data Line）的延伸方向（S方向）上被打断，即，S方向上，凹槽3的两侧的有源层2具有不同的长度。

而，在后续形成其他金属层、电极层等功能膜层的过程中，有源层会受到静电荷等其他因素影响，由于S方向上，有源层的长度不同，导致不同长度的有源层沟道特性突变不同，造成显示异常的问题。

为了解决有源层在S方向被打断导致的特异性显示差异，需要提出一种新的阵列基板的制备方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制备方法，克服现有的阵列基板因S方向上开孔区的有源层被打断造成的有源层沟道特性异常的问题。

为实现上述发明目的之一，本发明一实施方式提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区和开孔区，所述阵列基板的制备方法包括：

S1、提供衬底基板；

S2、在所述衬底基板一侧的表面上形成有源层；

S3、在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层；

S4、在上述步骤之后，通过蚀刻工艺在所述开孔区形成一个凹槽，所述凹槽自上而下贯穿所述功能膜层以及所述有源层，其中，所述凹槽位于所述开孔区内。

作为可选的技术方案，所述蚀刻工艺为干法蚀刻工艺。

作为可选的技术方案，S3中在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层包括：在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层远离所述有源层一侧的表面上形成第一金属层；其中，所述第一金属层包括栅极结构图案。

作为可选的技术方案，S3中在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层还包括：在所述第一金属层远离所述第一绝缘层一侧的表面上形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层远离所述第一金属层一侧的表面上形成第二金属层。

作为可选的技术方案，S3中在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层还包括：在所述第二金属层远离所述第二绝缘层一侧的表面上形成第三绝缘层，在所述第三绝缘层远离所述第三金属层一侧的表面上形成第三金属层；其中，所述第三金属层包通过贯穿所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的通孔电性连接所述有源层。

作为可选的技术方案，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层分别为无机层。