[发明专利]电子设备

权利要求书

1.一种包括半导体存储器的电子设备，其中，所述半导体存储器包括：

多层合成反铁磁结构，所述多层合成反铁磁结构包括第一铁磁性层、第二铁磁性层和间隔物层，所述间隔物层插置在所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间，

其中，所述间隔物层包括n个非磁性层和n-1个磁性层，所述n个非磁性层和所述n-1个磁性层被设置为使得所述n个非磁性层中的每一个与所述n-1个磁性层中的每一个交替地层叠，其中n表示等于或大于3的奇数，

其中，所述n-1个磁性层和所述n个非磁性层被配置为与所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个产生反铁磁交换耦合。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述n个非磁性层中的至少一个具有fcc(111)结构。

3.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述n个非磁性层中的至少一个包括Ru、Ir或Cr或其组合。

4.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述n-1个磁性层中的至少一个具有fcc(111)结构。

5.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层具有彼此反向平行的固定的磁化方向。

6.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层包括单层或多层的结构，所述结构包含铁磁性材料。

7.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一铁磁性层包括钉扎层，所述钉扎层具有固定的磁化方向，并且，所述第二铁磁性层包括移位抵消层，所述移位抵消层被构造为抵消或减小由所述钉扎层产生的杂散磁场。

8.根据权利要求1所述的电子设备，还包括中间层，所述中间层与所述间隔物层相邻并且具有bcc(001)结构。

9.根据权利要求8所述的电子设备，其中，所述中间层包括Co、Fe、Ni、B或贵金属或者它们的组合。

10.根据权利要求1所述的电子设备，还包括材料层，所述材料层插置在所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间，并且被构造为解决所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的晶格结构差异和晶格常数失配。

11.根据权利要求9所述的电子设备，其中，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个具有bcc(001)结构。

12.根据权利要求1所述的电子设备，还包括微处理器，所述微处理器包括：

控制单元，所述控制单元包括从外部设备接收包括命令的信号的输入端口，并且执行以下至少一项：对所述命令进行提取、解码，或者控制来自所述微处理器的信号输入或向所述微处理器的信号输出；

运算单元，所述运算单元包括与所述控制单元耦接以接收已解码的命令的输入端口，从而基于所述已解码的命令来执行运算；和

存储单元，所述存储单元耦接到所述运算单元，并被配置为储存用于执行所述运算的数据、与执行所述运算的结果相对应的数据或与所述运算相关联的数据被储存的地址，其中，所述半导体存储器是所述微处理器中的所述存储单元的一部分。

13.根据权利要求1所述的电子设备，还包括处理器，所述处理器包括：

核心单元，所述核心单元被配置为基于从与所述处理器通信的外部设备输入的命令而通过使用数据来执行与所述命令相对应的运算；

高速缓冲存储单元，所述高速缓冲存储单元耦接到所述核心单元，并被配置为储存用于执行所述运算的数据、与执行所述运算的结果相对应的数据或被执行所述运算的数据的地址；和

总线接口，所述总线接口耦接在所述核心单元与所述高速缓冲存储单元之间，以在所述核心单元与所述高速缓冲存储单元之间传输数据；

其中，所述高速缓冲存储单元包括所述半导体存储器。