[发明专利]电子设备

说明书

电子设备可以包括半导体存储器，并且所述半导体存储器可以包括多层合成反铁磁(Multi SAF)结构，该结构包括第一铁磁性层、第二铁磁性层以及插置在所述第一铁磁性层与第二铁磁性层之间的间隔物层，其中所述间隔物层可以包括n个非磁性层和n‑1个磁性层，它们被设置为使得该n个非磁性层中的每一个与该n‑1个磁性层中的每一个交替地层叠，其中n表示等于或大于3的奇数，其中n‑1个磁性层和n个非磁性层可以被配置为与第一铁磁性层和第二铁磁性层中的至少一个产生反铁磁交换耦合。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年12月13日提交的申请号为10-2019-0166562名称为“电子设备”的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

该专利文件涉及存储电路或存储器件及其在电子设备或系统中的应用。

背景技术

近来，随着电子设备或电器趋向于小型化、低功耗、高性能和多功能等，对能够在诸如计算机、便携式通信设备等的各种电子设备或电器中储存信息的电子器件的需求增加，并且已经进行对于这种电子器件的研究和开发。这样的电子器件的示例包括能够利用根据被施加的电压或电流而在不同电阻状态之间切换的特性来储存数据的电子器件，并且能够以各种配置来实施，例如，RRAM(电阻式随机存取存储器)、PRAM(相变随机存取存储器)、FRAM(铁电式随机存取存储器)、MRAM(磁性随机存取存储器)、电熔丝等。

发明内容

该专利文件中公开的技术包括存储电路或存储器件及其在电子设备或系统中的应用，以及各种电子设备的实施例，其中，电子设备包括半导体存储器，所述半导体存储器能够改善可变电阻元件表现出不同电阻状态以储存数据的特性。

在一个方面，一种电子设备可以包括半导体存储器，并且所述半导体存储器可以包括多层合成反铁磁(Multi SAF)结构，该结构包括第一铁磁性层、第二铁磁性层和间隔物层，所述间隔物层插置在所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间，其中，所述间隔物层可以包括n个非磁性层和n-1个磁性层，n个非磁性层和n-1个磁性层被设置为使得该n个非磁性层中的每一个与该n-1个磁性层中的每一个交替地层叠，其中n表示等于或大于3的奇数，其中，所述n-1个磁性层和所述n个非磁性层可以被配置为与所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个产生反铁磁交换耦合。

在另一方面，一种电子设备可以包括半导体存储器，并且所述半导体存储器可以包括：磁性隧道结(MTJ)结构，其包括自由层、钉扎层和隧道阻挡层，所述自由层具有可变的磁化方向，所述钉扎层具有固定的磁化方向，所述隧道阻挡层插置在所述自由层与所述钉扎层之间；以及中间层，其插置在所述隧道阻挡层与所述钉扎层之间，其中，所述自由层和所述钉扎层中的任何一个或更多个可以包括多层合成反铁磁结构，所述多层合成反铁磁结构包括间隔物层，其中，所述间隔物层可以包括交替层叠的n个非磁性层和n-1个磁性层，其中n表示等于或大于3的奇数，其中所述非磁性层和所述磁性层可以具有fcc(111)结构，并且，所述中间层可以具有bcc(001)结构。

在附图、说明书和权利要求中更详细地描述了这些和其他方面、实施方式以及相关的优点。

附图说明

图1是示出可变电阻元件的示例的截面图。

图2是示出基于所公开的技术的一些实施方式的可变电阻元件的示例的截面图。

图3是示出基于所公开的技术的一些实施方式的可变电阻元件的另一示例的截面图。

图4是示出基于所公开的技术的一些实施方式的可变电阻元件的另一示例的截面图。

图5是示出基于所公开的技术的一些实施方式的可变电阻元件的另一示例的截面图。

图6是示出分别基于所公开的技术的一些实施方式和比较示例的结构的Ms*t值的图。