[发明专利]实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法及GaAs芯片

权利要求书

1.一种实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法，其特征在于，包括：

将两圆片分别设置为密封环 结构，其中，所述两圆片分别包括GaAs衬底、在所述GaAs衬底上设置的信号连接压点、接地孔压点以及包围所述信号连接压点和所述接地孔压点的密封环 压点；

将两圆片的信号连接压点、接地孔压点和密封环 压点分别对应键合；

将所述两圆片中的任一圆片的所述信号连接压点和所述密封环 压点通过对应的GaAs衬底引出，将另一圆片的所述接地孔压点和所述密封环 压点通过对应的GaAs衬底引出；所述将另一圆片的所述接地孔压点和所述密封环 压点通过对应的GaAs衬底引出，包括：在第二GaAs衬底的背面打孔，露出另一第二圆片的接地孔压点和所述第二圆片的密封环 压点；在打孔后的第二GaAs衬底上电镀第二金属层，引出所述第二圆片的接地孔压点和所述第二圆片的密封环 压点。

2.如权利要求1所述的实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法，其特征在于，所述将两圆片的信号连接压点、接地孔压点和密封环 压点分别对应键合，包括：

将两圆片的信号连接压点、接地孔压点和密封环 压点分别对应进行金金键合。

3.如权利要求1或2所述的实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法，其特征在于，所述将所述两圆片中的任一圆片的所述信号连接压点和所述密封环 压点通过对应的GaAs衬底引出，包括：

将所述两圆片中的任一第一圆片的第一GaAs衬底减薄；

在减薄的第一GaAs衬底的背面打孔，露出所述第一圆片的信号连接压点和所述第一圆片的密封环 压点；

在打孔后的第一GaAs衬底上电镀第一金属层，引出所述第一圆片的信号连接压点和所述第一圆片的密封环 压点；

采用湿法腐蚀工艺在所述第一金属层上腐蚀所述第一金属层，实现金属间隔离；

在隔离后的第一金属层的表面上制备保护层。

4.如权利要求3所述的实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法，其特征在于，所述在打孔后的第一GaAs衬底上电镀金属层，引出所述第一圆片的信号连接压点和所述第一圆片的密封环 压点，包括：

在打孔后的第一GaAs衬底上采用深孔溅射和深孔电镀互连工艺制备第一金属层，将所述第一圆片的信号连接压点和所述第一圆片的密封环 压点引到所述第一GaAs衬底背面的表面。

5.如权利要求3所述的实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法，其特征在于，所述第一金属层采用的材料为金。

6.如权利要求3所述的实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法，其特征在于，所述保护层的材料为氮化硅。

7.如权利要求1或2所述的实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法，其特征在于，所述在第二GaAs衬底的背面打孔，露出第二圆片的接地孔压点和所述第二圆片的密封环 压点之前，还包括：

将另一第二圆片的第二GaAs衬底减薄；

所述在第二GaAs衬底的背面打孔，露出第二圆片的接地孔压点和所述第二圆片的密封环 压点，包括：

在减薄的第二GaAs衬底的背面打孔，露出第二圆片的接地孔压点和所述第二圆片的密封环 压点。

8.如权利要求7所述的实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法，其特征在于，所述第二金属层采用的材料为金。