[发明专利]实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法及GaAs芯片

说明书

本发明适用于半导体技术领域，提供了一种实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法及GaAs芯片，该方法包括：将seal ring结构的两圆片进行键合，即将两圆片的信号连接压点、接地孔压点和seal ring压点分别对应键合，形成封装结构的金属围墙形式；将所述两圆片中的任一圆片的所述信号连接压点和所述seal ring压点通过对应的GaAs衬底引出，将另一圆片的所述接地孔压点和所述seal ring压点通过对应的GaAs衬底引出，形成封装结构的屏蔽金属盖，最终在圆片上实现芯片级电磁屏蔽封装结构，抗干扰能力强。根据本实施例提供的实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法，可实现大批量生产制作，工艺成本低，结构重复性好，可靠性高。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法及GaAs芯片。

背景技术

随着器件尺寸减小、芯片集成度提高，三维集成技术是未来微系统领域发展的方向。三维集成技术是在第三维上进行芯片堆叠和互连布线，优化电路连接的技术和工艺，从而展示出在实现芯片多功能化、减小信号延迟、减低功耗、提高芯片性能等诸多方面的优势。但是芯片在堆叠之后，芯片之间存在相互电磁干扰问题，尤其是射频电路对周围电磁干扰更敏感，严重时导致电路不能正常工作。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法及GaAs芯片，旨在解决现有技术中芯片在堆叠之后芯片之间存在相互电磁干扰的问题。

为实现上述目的，本发明实施例的第一方面提供了一种实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法，包括：

将两圆片分别设置为seal ring结构，其中，所述两圆片分别包括GaAs衬底、在所述GaAs衬底上设置的信号连接压点、接地孔压点以及包围所述信号连接压点和所述接地孔压点的seal ring压点；

将两圆片的信号连接压点、接地孔压点和seal ring压点分别对应键合；

将所述两圆片中的任一圆片的所述信号连接压点和所述seal ring压点通过对应的GaAs衬底引出，将另一圆片的所述接地孔压点和所述seal ring压点通过对应的GaAs衬底引出。

作为本申请另一实施例，所述将两圆片的信号连接压点、接地孔压点和seal ring压点分别对应键合，包括：

将两圆片的信号连接压点、接地孔压点和seal ring压点分别对应进行金金键合。

作为本申请另一实施例，所述将所述两圆片中的任一圆片的所述信号连接压点和所述seal ring压点通过对应的GaAs衬底引出，包括：

将所述两圆片中的任一第一圆片的第一GaAs衬底减薄；

在减薄的第一GaAs衬底的背面打孔，露出所述第一圆片的信号连接压点和所述第一圆片的seal ring压点；

在打孔后的第一GaAs衬底上电镀第一金属层，引出所述第一圆片的信号连接压点和所述第一圆片的seal ring压点；

采用湿法腐蚀工艺在所述第一金属层上腐蚀所述第一金属层，实现金属间隔离；

在隔离后的第一金属层的表面上制备保护层。

作为本申请另一实施例，所述在打孔后的第一GaAs衬底上电镀金属层，引出所述第一圆片的信号连接压点和所述第一圆片的seal ring压点，包括：

在打孔后的第一GaAs衬底上采用深孔溅射和深孔电镀互连工艺制备第一金属层，将所述第一圆片的信号连接压点和所述第一圆片的seal ring压点引到所述第一GaAs衬底背面的表面。

作为本申请另一实施例，所述第一金属层采用的材料为金。