[发明专利]半导体基板、半导体封装结构及形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体基板，其特征在于，包括：

介电层；以及

线路层，包括内埋于所述介电层的第一表面的线路，所述线路具有通过所述第一表面暴露的顶侧面、与所述顶侧面相接的周侧面，

其中，所述线路用于供芯片的电连接件电连接；

其中，所述周侧面的相对两侧呈凸起，所述线路在所述凸起的上下两侧处的宽度均小于在所述凸起处的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述线路的所述周侧面呈连续弧面，所述线路的所述顶侧面与所述第一表面共面，所述弧面的顶端与所述顶侧面直接相接。

3.根据权利要求1或2所述的半导体基板，其特征在于，

所述周侧面的横截面为顶部具有缺口的椭圆形或顶部具有缺口的圆形，所述暴露的顶侧面位于所述缺口处，所述顶侧面的宽度大于所述线路的用于与所述电连接件对接的界面的宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述介电层的所述第一表面的平整度小于3μm。

5.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

相邻的所述线路之间的间距不大于10μm，所述线路的线宽不大于10μm。

6.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述线路用于供所述电连接件接触。

7.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，还包括：

导电通孔，接触所述线路并且用于电连接所述电连接件，其中，所述导电通孔的宽度小于所述线路。

8.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述半导体基板包括两个所述介电层及两个所述线路层，两个所述线路层电相互连接且两个所述线路层之间有间隔，每个所述线路层中的线路具有通过对应介电层的第一表面暴露的顶侧面、与所述顶侧面相接的周侧面，呈连续弧面且所述周侧面的相对两侧呈凸起，所述线路在所述凸起的上下两侧处的宽度均小于在所述凸起处的宽度。

9.根据权利要求8所述的半导体基板，其特征在于，

两个所述线路层通过导电通孔电连接，每个导电通孔的底面齐平。

10.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

半导体基板，所述半导体基板包括：

介电层；和

线路层，包括内埋于所述介电层的第一表面的线路，所述线路具有通过所述第一表面暴露的顶面，所述线路还具有中央部分和侧部，所述侧部相接在所述顶面所正对的所述中央部分的相对两侧，

其中，所述侧部具有相比于所述中央部分的最大凸起，所述最大凸起位于所述中央部分的顶侧和底侧之间；以及

芯片，具有电连接件并位于所述介电层的所述第一表面上，并且所述电连接件电连接到所述线路。

11.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其特征在于，

所述侧部具有呈弧面的周侧面，所述线路的所述顶面与所述第一表面共面，所述弧面的顶端与所述顶面直接相接。

12.根据权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于，

所述周侧面的横截面为顶部具有缺口的椭圆形或顶部具有缺口的圆形，所述暴露的顶面位于所述缺口处，所述顶面的宽度大于所述电连接件与所述顶面对接的界面的宽度。

13.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其特征在于，

所述介电层的所述第一表面的平整度小于3μm。

14.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其特征在于，

相邻的所述线路之间的间距不大于10μm，所述线路的线宽不大于10μm。