[发明专利]初始阵列基板及其制作方法、检测方法

权利要求书

1.一种初始阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供初始基板，所述初始基板包括显示区、开孔区、隔离区和检测区，所述检测区位于所述显示区的外围，所述隔离区围绕所述开孔区设置；

在所述隔离区形成隔离柱过渡图形层，所述隔离柱过渡图形层包括至少一个过渡隔离柱，每一个所述过渡隔离柱围绕所述开孔区一周设置；

在所述检测区形成测试导电层，所述测试导电层包括第一测试导电图形和第二测试导电图形，所述第一测试导电图形的形状与所述第二测试导电图形的形状相同；

形成绝缘遮挡层，所述绝缘遮挡层覆盖所述第二测试导电图形；

对形成有所述绝缘遮挡层的初始基板进行刻蚀，以使得所述过渡隔离柱被刻蚀形成为隔离柱，所述隔离柱中部的横截面积小于所述隔离柱顶部的横截面积，也小于所述隔离柱底部的横截面积。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一测试导电图形包括多个主体部和多个连接部，多个主体部排列为多行多列，每行中的多个所述主体部间隔设置，不同行的主体部电连接；

所述主体部包括相对设置的两个纵向导电条和在所述纵向导电条的一端连接两个纵向导电条的横向导电条，

所述连接部连接在相邻两个主体部之间，且将两个主体部的纵向导电条电连接。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述测试导电层还包括第一接触图形和第二接触图形，

所述第一接触图形与所述第一测试导电图形电连接；

所述第二接触图形与所述第二测试导电图形电连接。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的制作方法，其特征在于，在所述隔离区形成隔离柱过渡图形层的步骤和在所述检测区形成测试导电层的步骤同步进行，以使得所述隔离柱过渡层和所述测试导电层同层设置。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括与形成隔离柱过渡层同步进行的形成源漏图形层的步骤。

6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，在所述隔离区形成隔离柱过渡图形层的步骤和在所述检测区形成测试导电层的步骤包括：

形成第一金属过渡层；

形成第二金属过渡层；

形成第三金属过渡层，以获得组合层结构；

对所述组合层结构进行图形化，以获得所述隔离柱过渡图形层和所述测试导电层；

其中，所述第一金属过渡层和所述第三金属过渡层由相同材料制成。

7.根据权利要求1至3中任意一项所述的制作方法，其特征在于，所述绝缘遮挡层由有机材料制成。

8.一种初始阵列基板，其特征在于，所述初始阵列基板由权利要求1至7中任意一项所述的初始阵列基板的制作方法制成，包括：显示区、开孔区、隔离区和检测区，所述检测区位于所述显示区的外围，所述隔离区围绕所述开孔区设置；

所述隔离区包括至少一个所述隔离柱，每一个所述隔离柱围绕所述开孔区一周设置；

所述检测区包括所述测试导电层，所述测试导电层包括所述第一测试导电图形和所述第二测试导电图形；

所述初始阵列基板还包括所述绝缘遮挡层，所述绝缘遮挡层覆盖所述第二测试导电图形。

9.一种初始阵列基板的检测方法，其特征在于，所述初始阵列基板由权利要求1至7中任意一项所述的初始阵列基板的制作方法制成，所述检测方法包括：

测量所述初始阵列基板的检测区中第一测试导电图形和第二测试导电图形的电阻值；

判断所述第一测试导电图形的电阻值和所述第二测试导电图形的电阻值的差是否超过预定阈值；

当所述第一测试导电图形的电阻值和所述第二测试导电图形的电阻值的差超过所述预定阈值时，判定所述初始阵列基板的隔离区中的隔离柱存在底切结构；

当所述第一测试导电图形的电阻值和所述第二测试导电图形的电阻值未超过所述预定阈值时，判定所述初始阵列基板的隔离区中的隔离柱不存在底切结构。

10.根据权利要求9所述的检测方法，其特征在于，当判定所述初始阵列基板的隔离区中存在隔离柱时，所述检测方法还包括：

根据所述第一测试导电图形的电阻值确定所述初始阵列基板的隔离区中隔离柱的底切结构的尺寸。