[发明专利]频率源的温度补偿参数确定方法和装置

权利要求书

1.一种频率源的温度补偿参数确定方法，其特征在于，包括：

获取预设数量的目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率的均值，并将所述温度补偿斜率的均值确定为所述目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率，所述片内频率源为LC振荡器，同一型号的芯片的所述片内频率源的温度补偿斜率可以收敛于同一个温度补偿斜率值；

获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的工作频率，其中，所述待测芯片为目标型号的芯片，所述第一温度位于所述目标型号的芯片的工作温度范围内；

基于所述目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率、所述第一温度、所述第一温度下的工作频率以及一阶拟合公式，确定所述待测芯片的片内频率源的温度补偿偏置参数，其中，所述一阶拟合公式用于表征工作频率和温度之间的关系；

将所述温度补偿斜率和所述温度补偿偏置参数确定为所述待测芯片的片内频率源的温度补偿参数；

所述一阶拟合公式为：F＝kT+b，其中，T为芯片的工作温度，F为所述芯片的内部频率源的工作频率，k为所述芯片的内部频率源的温度补偿斜率，b为所述芯片的内部频率源的温度补偿偏置参数。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取预设数量的目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率的均值包括：

在所述预设数量的芯片中，获取每个芯片的片内频率源在所述第一温度下的第一工作频率；

将每个芯片从所述第一温度加热到第二温度，并获取每个芯片的片内频率源在所述第二温度下的第二工作频率，其中，所述第二温度位于所述目标型号的芯片的工作温度范围内，所述第二温度大于所述第一温度；

基于所述第一温度、第一工作频率和一阶拟合公式，得到第一公式，并基于所述第二温度、第二工作频率和所述一阶拟合公式，得到第二公式，其中，所述一阶拟合公式的待求解变量为温度补偿斜率和温度补偿偏置参数；

根据所述第一公式和所述第二公式确定每个芯片的温度补偿斜率，得到所述预设数量的芯片的片内频率源的温度补偿斜率；

对所述预设数量的芯片的片内频率源的温度补偿斜率求平均，得到所述温度补偿斜率的均值。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将每个芯片从所述第一温度加热到第二温度包括：

将每个所述芯片放置在加热设备内，通过所述加热设备对每个所述芯片进行加热，以使每个芯片加热到所述第二温度。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将每个芯片从所述第一温度加热到第二温度包括：

采用每个所述芯片在工作的过程中产生的功耗，将所述芯片从所述第一温度加热到所述第二温度。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，基于所述目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率、所述第一温度以及所述第一温度下的工作频率，确定所述待测芯片的片内频率源的温度补偿偏置参数包括：

将所述温度补偿斜率、所述第一温度、所述第一温度下的工作频率代入所述一阶拟合公式进行计算，得到所述待测芯片的片内频率源的温度补偿偏置参数。