[发明专利]频率源的温度补偿参数确定方法和装置有效

专利信息
申请号: 202010873945.X 申请日: 2020-08-26
公开(公告)号: CN111884589B 公开(公告)日: 2021-11-05
发明(设计)人: 贾涵阳;侯中原 申请(专利权)人: 硅谷数模(苏州)半导体有限公司;硅谷数模国际有限公司
主分类号: H03B5/04 分类号: H03B5/04
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 黄海英
地址: 215000 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 频率 温度 补偿 参数 确定 方法 装置
【说明书】:

本申请公开了一种频率源的温度补偿参数确定方法和装置。该方法包括:获取预设数量的目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率的均值,并将温度补偿斜率的均值确定为目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率;获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的工作频率,其中,待测芯片为目标型号的芯片;基于目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率、第一温度以及第一温度下的工作频率,确定待测芯片的片内频率源的温度补偿偏置参数;将温度补偿斜率和温度补偿偏置参数确定为待测芯片的片内频率源的温度补偿参数。通过本申请,解决了相关技术中采用机台批量加热芯片以校准芯片的片上频率源的温度补偿参数,耗时长、成本高的问题。

技术领域

本申请涉及频率源温度补偿领域,具体而言,涉及一种频率源的温度补偿参数确定方法和装置。

背景技术

由于便捷、尺寸小等优点,芯片的片上频率源正逐渐取代片外晶体、晶振,广泛应用于芯片领域。

一种典型的片上频率源是由LC振荡器实现,由于LC振荡器的温度随频率的升高而降低,具有负温度系数。因而,在电路设计中,往往需要设计复杂的温度补偿电路来补偿温度变化导致的频率偏差,在设计温度补偿电路时,需要知道温度补偿参数。在相关技术中,通常是在芯片量产的过程中,通过机台对芯片进行加热,结合不同温度下芯片的频率计算频率源的温度补偿参数,并写入芯片的存储器中。但是,采用机台对芯片加热,需要将芯片批量放入托盘,再将托盘放置到机台内进行芯片的加热,加热时间长,且容易产生加热不均。

针对相关技术中采用机台批量加热芯片以校准芯片的片上频率源的温度补偿参数,耗时长、成本高的问题,目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本申请提供一种频率源的温度补偿参数确定方法和装置,以解决相关技术中采用机台批量加热芯片以校准芯片的片上频率源的温度补偿参数,耗时长、成本高的问题。

根据本申请的一个方面,提供了一种频率源的温度补偿参数确定方法。该方法包括:获取预设数量的目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率的均值,并将温度补偿斜率的均值确定为目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率;获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的工作频率,其中,待测芯片为目标型号的芯片,第一温度位于目标型号的芯片的工作温度范围内;基于目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率、第一温度以及第一温度下的工作频率,确定待测芯片的片内频率源的温度补偿偏置参数;将温度补偿斜率和温度补偿偏置参数确定为待测芯片的片内频率源的温度补偿参数。

可选地,获取预设数量的目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率的均值包括:在预设数量的芯片中,获取每个芯片的片内频率源在第一温度下的第一工作频率;将每个芯片从第一温度加热到第二温度,并获取每个芯片的片内频率源在第二温度下的第二工作频率,其中,第二温度位于目标型号的芯片的工作温度范围内,第二温度大于第一温度;基于第一温度、第一工作频率和一阶拟合公式,得到第一公式,并基于第二温度、第二工作频率和一阶拟合公式,得到第二公式,其中,一阶拟合公式的待求解变量为温度补偿斜率和温度补偿偏置参数;根据第一公式和第二公式确定每个芯片的温度补偿斜率,得到预设数量的芯片的片内频率源的温度补偿斜率;对预设数量的芯片的片内频率源的温度补偿斜率求平均,得到温度补偿斜率的均值。

可选地,将每个芯片从第一温度加热到第二温度包括:将每个芯片放置在加热设备内,通过加热设备对每个芯片进行加热,以使每个芯片加热到第二温度。

可选地,将每个芯片从第一温度加热到第二温度包括:采用每个芯片在工作的过程中产生的功耗,将芯片从第一温度加热到第二温度。

可选地,一阶拟合公式为:F=kT+b,其中,T为芯片的工作温度,F为芯片的内部频率源的工作频率,k为芯片的内部频率源的温度补偿斜率,b为芯片的内部频率源的温度补偿偏置参数。

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