[发明专利]基板处理装置、气柜以及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

包括对基板进行处理的处理室的处理炉；

向所述处理室供给对所述基板进行处理的处理气体的处理气体供给路；

控制向所述处理室供给的处理气体的量的处理气体供给控制部；

对所述处理气体供给路或所述处理气体供给控制部的至少一部分进行加热的加热器；和

将所述处理气体供给路、所述处理气体供给控制部、和所述加热器收纳的气柜，

所述气柜具有：将所述气柜外的环境气体向所述气柜内吸入的吸入口；与排气管道连接并将所述气柜内的环境气体向所述排气管道排出的排气口；冷却所述气柜内的环境气体并且测定或监视所述环境气体的温度的温度控制设备；和探测泄漏到所述气柜内的处理气体的气体泄漏传感器。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述温度控制设备具有能够对从所述气柜内向所述气柜外的低温源输送的热能的量进行控制的热交换器。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述热交换器设于所述气柜的内部，将所述气柜外的空气作为所述低温源来使用，与设于所述气柜的上通气口以及下通气口连通，并构成为，与相对于设有气体控制单元的空间而被截断的外部空气流路接触，并且也与所述空间接触，在所述外部空气流路设有冷却介质风扇。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理气体供给控制部具有多个质量流量控制器，

所述加热器将所述多个质量流量控制器中的气化后的液体原料所通过的质量流量控制器加热至能够防止再次液化的温度。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述加热器对气化后的液体原料所通过的所述质量流量控制器的将流路包括在内的金属制块体部进行加热。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，金属制块体部由隔热材料覆盖。

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述温度控制设备具有：散热翅片，其具有与所述气柜内的环境气体接触的第1面以及与所述气柜外的环境气体接触的第2面；对所述第1面形成环境气体的气流的第1风扇；测定气柜内的温度的温度传感器；和温度调整器，其根据所述温度传感器测定的温度来控制对第2面形成环境气体的气流的所述第1风扇的转速。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述温度传感器测定气柜内的空气的代表性温度。

9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理气体供给控制部具有多个质量流量控制器，

所述温度传感器与所述多个质量流量控制器中的一个质量流量控制器的电气控制部热耦合。

10.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述温度控制设备还具有对所述空间形成环境气体的气流的循环风扇。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，当所述气体泄漏传感器探测到泄漏时使所述循环风扇停止。

12.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述温度控制设备还具有对所述第2面形成环境气体的气流的第2风扇，所述第2风扇的转速是由所述加热器的设定温度决定的固定值。

13.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述温度控制设备还具有对所述第2面形成环境气体的气流的第2风扇，

所述温度调整器控制所述第2风扇的转速。

14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，所述温度调整器与向第1风扇的操作量的变化率相比更加限制向第2风扇的操作量的变化率。