[发明专利]基板处理装置、气柜以及半导体器件的制造方法

说明书

本发明防止以温度为起因的气体流量控制性的降低。本发明的基板处理装置具有：对基板进行处理的处理炉；向处理室供给对基板进行处理的处理气体的处理气体供给路；控制向处理室供给的处理气体的量的处理气体供给控制部；对处理气体供给路或处理气体供给控制部的至少一部分进行加热的加热器；和将处理气体供给路、处理气体供给控制部、和加热器收纳的气柜。气柜具有：将气柜外的环境气体向气柜内吸入的吸入口；与排气管道连接并将气柜内的环境气体向排气管道排出的排气口；冷却气柜内的环境气体并且测定或监视环境气体的温度的温度控制设备；和探测泄漏到气柜内的处理气体的气体泄漏传感器。

技术领域

本发明涉及基板处理装置、气柜以及半导体器件的制造方法。

背景技术

在半导体器件(集成电路)等的制造工序中，广泛使用对硅晶圆等基板进行薄膜的堆积、氧化、扩散、退火等热处理的基板处理装置。这种基板处理装置具有对处理室内供给处理气体的气体供给系统。为了防止泄漏气体对人曝露，气体供给系统收纳于被称为气柜(gas box)的包围结构(Enclosure)内。气柜与被管理为负压的排气管道连接，并换气。

常温下为液体的原料有时会由气化器加热以及气化而作为处理气体向处理室内供给。此时为了防止原料再次液化，能够加热配管。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007－242791号公报

专利文献2：日本特开2013－62271号公报

发明内容

在气柜内作为气体供给系统而能够收纳MFC(质量流量控制器)，MFC具有电路并控制处理气体的流量。在根据液体原料的使用等，应加热的配管的数量为大量，或将较大的被加热物配置于气柜内的情况下，有可能来不及进行热排气，气柜内的温度(MFC的环境温度)变得更高。在气柜内的温度维持得较高，而温度上下浮动的情况下，会发生因部件特性而导致气体流量控制性变差，处理后的基板的品质无法满足作为产品的品质。

本发明的目的为，提供防止基板处理装置中的气体流量控制性的降低的技术。

根据本发明的一个方式，提供一种技术，其具有：对基板进行处理的处理炉；向所述处理室供给对所述基板进行处理的处理气体的处理气体供给路；控制向所述处理室供给的处理气体的量的处理气体供给控制部；对所述处理气体供给路或所述处理气体供给控制部的至少一部分进行加热的加热器；和将所述处理气体供给路、所述处理气体供给控制部、和所述加热器收纳的气柜，所述气柜具有：将所述气柜外的环境气体向所述气柜内吸入的吸入口；与排气管道连接并将所述气柜内的环境气体向所述排气管道排出的排气口；冷却所述气柜内的环境气体并且测定或监视所述环境气体的温度的温度控制设备；和探测泄漏到所述气柜内的处理气体的气体泄漏传感器。

发明效果

根据本发明，能够提供防止基板处理装置中的气体流量控制性的降低的技术。

附图说明

图1是实施方式的基板处理装置的透视图。

图2是将实施方式的基板处理装置截断的垂直剖视图。

图3是实施方式的气柜的垂直截面图。

图4是实施方式的主控制器的框图。

图5是与实施方式的气柜的温度控制关联的处理的流程图。

图6是实施方式的变形后的气柜壳体的垂直截面图。

附图标记说明