[发明专利]进行处理装置的检查的系统和检查方法在审
申请号: | 202010875893.X | 申请日: | 2020-08-27 |
公开(公告)号: | CN112461121A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 杉田吉平;永井健治 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | G01B11/00 | 分类号: | G01B11/00;G01K11/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 进行 处理 装置 检查 系统 方法 | ||
1.一种进行处理装置的检查的系统,具备:
温度调整机构,其调整所述处理装置的处理室内的部件温度;
光源,其产生测定光;
多个光学元件,在所述温度调整机构对所述部件进行温度调整的期间,所述多个光学元件将通过所述光源产生的所述测定光作为出射光射出至所述处理装置的处理室内的部件,并且反射光入射至所述多个光学元件;
受光元件,从所述光学元件向所述受光元件射入光,所述受光元件测定光的光谱;以及
控制部,其基于通过所述受光元件测定出的光的光谱,针对与所述光学元件对应的每个测定部位计算所述部件温度,基于所述测定部位的所述部件温度的各温度的比较来判定所述处理装置的异常。
2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,
所述部件为用于载置圆盘状的对象物的载置台、以包围所述载置台的周围的方式配置的聚焦环以及配置于所述聚焦环的上方的上部电极中的至少一方,并且所述部件为由硅构成的部件。
3.根据权利要求1或2所述的系统,其特征在于,
所述控制部将所述测定部位的所述部件温度的各温度进行比较,在差为阈值以上的情况下判定为所述处理装置存在异常。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的系统,其特征在于,
所述温度调整机构为在所述处理装置的处理室内生成等离子体的机构。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的系统,其特征在于,
所述控制部基于所述反射光,针对与所述光学元件对应的每个测定部位测定所述部件的在高度方向上的位置,并且基于所述测定部位的在高度方向上的位置的各位置的比较来判定所述处理装置的异常,
在基于所述部件的在高度方向上的位置判定为所述处理装置不存在异常的情况下,基于所述测定部位的所述部件温度的各温度的比较来判定所述处理装置的异常。
6.一种检查方法,包括以下工序:
在处理装置的处理室内的温度调整过程中向所述处理室内的部件的多个测定部位照射测定光;以及
基于来自所述部件的反射光,针对每个所述测定部位计算所述部件温度,并且基于所述测定部位的所述部件温度的各温度的比较来判定所述处理装置的异常。
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