[发明专利]一种阵列基板和显示装置有效
申请号: | 202010877133.2 | 申请日: | 2020-08-27 |
公开(公告)号: | CN111965908B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 苏秋杰;孙志华;李承珉 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括:
衬底基板;
沿第一方向延伸的多条数据线和沿第二方向延伸的多条栅线,以及由所述栅线和所述数据线限定的多个像素单元;
所述像素单元包括薄膜晶体管、公共电极和像素电极,所述薄膜晶体管包括栅极、源漏极和有源层,其中,所述像素电极和其相邻的栅线在第一方向上具有间隙区;
所述像素单元还包括第一辅助电极和第二辅助电极,所述第一辅助电极与所述公共电极电连接,所述第二辅助电极与所述源漏极电连接;其中,
所述第一辅助电极在所述衬底基板上的正投影与所述第二辅助电极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠,且所述第一辅助电极位于所述间隙区内。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述像素单元具有非开口区和开口区,所述间隙区位于所述非开口区内。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一辅助电极为金属电极,且与所述栅极同层设置。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一辅助电极与其邻近的栅线在第一方向上具有第一间距;
所述第一辅助电极与其邻近的像素电极在第一方向上具有第二间距;
所述第一间距大于所述第二间距。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一辅助电极和所述第二辅助电极在第二方向上的长度等于所述像素电极在第二方向上的长度。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一辅助电极在第一方向上的长度大于所述栅线在第一方向上长度的三分之一,且小于所述栅线在第一方向上长度的二分之一。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的阵列基板,其中,所述间隙区包括第一间隙区和第二间隙区;
所述像素电极与其电连接的薄膜晶体管的栅线在第一方向上的间隙区为所述第一间隙区;
所述像素电极与下一行像素单元的栅线在第一方向上的间隙区为所述第二间隙区。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其中,所述第一辅助电极设置于所述第一间隙区,所述第二辅助电极与所述源漏极同层设置且与所述源漏极直接连接。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其中,所述阵列基板还包括栅极绝缘层和钝化层;
所述栅极设置于所述衬底基板上;
所述栅极绝缘层设置于所述栅极远离所述衬底基板的一侧;
所述有源层设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧;
所述源漏极设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧;
所述钝化层位于所述源漏极远离所述衬底基板的一侧;
所述公共电极设置于所述衬底基板上,所述像素电极设置于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧。
10.根据权利要求8所述的阵列基板,其中,所述阵列基板还包括栅极绝缘层和钝化层;
所述栅极设置于所述衬底基板上;
所述栅极绝缘层设置于所述栅极远离所述衬底基板的一侧;
所述有源层设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧;
所述源漏极设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧;
所述钝化层位于所述源漏极远离所述衬底基板的一侧;
所述像素电极设置于所述衬底基板上,所述公共电极设置于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧。
11.根据权利要求8所述的阵列基板,其中,所述阵列基板还包括栅极绝缘层和钝化层;
所述栅极设置于所述衬底基板上;
所述栅极绝缘层设置于所述栅极远离所述衬底基板的一侧;
所述有源层设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧;
所述源漏极设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧;
所述钝化层位于所述源漏极远离所述衬底基板的一侧;
所述像素电极设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧,所述公共电极设置于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧。
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