[发明专利]一种阵列基板和显示装置有效

专利信息
申请号: 202010877133.2 申请日: 2020-08-27
公开(公告)号: CN111965908B 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 苏秋杰;孙志华;李承珉 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1368
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;胡影
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 显示装置
【说明书】:

发明提供一种阵列基板和显示装置。该阵列基板包括衬底基板、沿第一方向延伸的多条数据线和沿第二方向延伸的多条栅线,以及由所述栅线和所述数据线限定的多个像素单元,像素单元包括薄膜晶体管、公共电极和像素电极,薄膜晶体管包括栅极、源漏极和有源层,像素单元还包括第一辅助电极和第二辅助电极,第一辅助电极与公共电极电连接,第二辅助电极与源漏极电连接,第一辅助电极在衬底基板上的正投影与第二辅助电极在衬底基板上的正投影至少部分重叠。第一辅助电极和第二辅助电极之间可以产生辅助存储电容,对公共电极和像素电极产生的存储电容进行补偿,增大总的存储电容,可以改善由寄生电容引起的显示不良问题。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域,具体而言涉及一种阵列基板和显示装置。

背景技术

近年来,随着科学技术的发展和生活水平的提高,人们对显示装置的要求越来越高,显示产品逐渐向大尺寸、高分辨率的方向发展。显示装置中单个像素的面积不断减小,像素单元中寄生电容相较于存储电容的比例越来越大,寄生电容变得不容忽视,。寄生电容的增大会引起横纹、残像、Crosstalk等显示不良问题。

因此,为了保证显示质量,需要增大存储电容,减小寄生电容带来的不良影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板和显示装置。该阵列基板中第一辅助电极和第二辅助电极之间能形成辅助存储电容,该辅助存储电容可以对像素电极与公共电极之间的存储电容进行补偿,增大总的存储电容,可以改善由寄生电容引起的显示不良问题,此外还可以降低公共电极的电阻,从而降低显示装置的功耗,节约能源。

本发明的至少一个实施例提供了一种阵列基板,其包括衬底基板;

沿第一方向延伸的多条数据线和沿第二方向延伸的多条栅线,以及由所述栅线和所述数据线限定的多个像素单元;所述像素单元包括薄膜晶体管、公共电极和像素电极,所述薄膜晶体管包括栅极、源漏极和有源层,其中,所述像素电极和其相邻的栅线在第一方向上具有间隙区。

所述像素单元还包括第一辅助电极和第二辅助电极,所述第一辅助电极与所述公共电极电连接,所述第二辅助电极与所述源漏极电连接;其中,所述第一辅助电极在所述衬底基板上的正投影与所述第二辅助电极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠,且所述第一辅助电极位于所述间隙区内。

可选的,所述像素单元具有非开口区和开口区,所述间隙区位于所述非开口区内。

可选的,所述第一辅助电极为金属电极,且与所述栅极同层设置。

可选的,所述第一辅助电极与其邻近的栅线在第一方向上具有第一间距;所述第一辅助电极与其邻近的像素电极在第一方向上具有第二间距;所述第一间距大于所述第二间距。

可选的,所述第一辅助电极和所述第二辅助电极在第二方向上的长度等于所述像素电极在第二方向上的长度。

可选的,所述第一辅助电极在第一方向上的长度大于所述栅线在第一方向上长度的三分之一,且小于所述栅线在第一方向上长度的二分之一。

可选的,所述间隙区包括第一间隙区和第二间隙区;所述像素电极与其电连接的薄膜晶体管的栅线在第一方向上的间隙区为所述第一间隙区;所述像素电极与下一行像素单元的栅线在第一方向上的间隙区为所述第二间隙区。

可选的,所述第一辅助电极设置于所述第一间隙区,所述第二辅助电极与所述源漏极同层设置且与所述源漏极直接连接。

可选的,所述阵列基板还包括栅极绝缘层和钝化层;所述栅极设置于所述衬底基板上;所述栅极绝缘层设置于所述栅极远离所述衬底基板的一侧;所述有源层设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧;所述源漏极设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧;所述钝化层位于所述源漏极远离所述衬底基板的一侧;所述公共电极设置于所述衬底基板上,所述像素电极设置于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧。

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