[发明专利]SAB氮化硅膜制造方法及SAB工艺控制模块

权利要求书

1.一种SAB氮化硅膜制造方法，包括如下步骤：

S1，形成半导体器件的栅极结构、源区和漏区，栅极结构包括依次形成于半导体衬底表面的栅介质层和多晶硅栅，源区和漏区形成于对应的所述多晶硅栅的两侧；

S2，沉积SAB SiN形成SAB膜层；

S3，执行SAB膜层刻蚀；

其特征在于，执行步骤S2时，沉积条件为：沉积源SiH4气体流量调节范围为100sccm～200sccm，沉积源NH3气体流量调节范围为0sccm～150sccm，沉积源He气体流量调节范围为0sccm～2000sccm。

2.如权利要求1所述的SAB氮化硅膜制造方法，其特征在于：

沉积源SiH4气体流量调节范围为176sccm，沉积源NH3气体流量调节范围为100sccm，沉积源He气体流量调节范围为2000sccm。

3.如权利要求1所述的SAB氮化硅膜制造方法，其特征在于：

执行步骤S3时，通过SiN和OX采用第一刻蚀选择比执行主刻蚀，且使主刻蚀时间在原有主刻蚀时间上减少第一预设时段；通过SiN和OX采用第二刻蚀选择比执行过刻蚀，且使过刻蚀时间在原有过刻蚀时间上增加第二预设时段。

4.如权利要求3所述的SAB氮化硅膜制造方法，其特征在于：第一刻蚀选择比SiN和OX刻蚀选择比为1:1，第一预设段范围为8S-12s；

第二刻蚀选择比SiN和OX刻蚀选择比为∞:1，第二预设段范围为30S-100s。

5.如权利要求4所述的SAB氮化硅膜制造方法，其特征在于：第一预设段为10s，第二预设段为60s。

6.一种SAB工艺控制模块，其用于半导体机台控制SAB工艺参数，其特征在于：

在执行沉积SAB SiN形成SAB膜层时，该SAB工艺控制模块控制沉积条件为：沉积源SiH4气体流量调节范围为100sccm～200sccm，沉积源NH3气体流量调节范围为0sccm～150sccm，沉积源He气体流量调节范围为0sccm～2000sccm。

7.如权利要求6所述的SAB工艺控制模块，其特征在于：

在执行沉积SAB SiN形成SAB膜层时，该SAB工艺控制模块控制沉积条件为：沉积源SiH4气体流量调节范围为176sccm，沉积源NH3气体流量调节范围为100sccm，沉积源He气体流量调节范围为2000sccm。

8.如权利要求6所述的SAB工艺控制模块，其特征在于：

执行SAB膜层刻蚀时，该SAB工艺控制模块控制SiN和OX采用第一刻蚀选择比执行主刻蚀，且使主刻蚀时间在原有主刻蚀时间上减少第一预设时段；该SAB工艺控制模块控制SiN和OX采用第二刻蚀选择比执行过刻蚀，且使过刻蚀时间在原有过刻蚀时间上增加第二预设时段。

9.如权利要求8所述的SAB工艺控制模块，其特征在于：

第一刻蚀选择比SiN和OX刻蚀选择比为1:1，第一预设段范围为8S-12s；

第二刻蚀选择比SiN和OX刻蚀选择比为∞:1，第二预设段范围为30S-100s。

10.如权利要求9所述的SAB工艺控制模块，其特征在于：第一预设段为10s，第二预设段为60s。