[发明专利]SAB氮化硅膜制造方法及SAB工艺控制模块

说明书

本发明公开了一种SAB氮化硅膜制造方法，包括如下步骤：形成半导体器件的栅极结构、源区和漏区，栅极结构包括依次形成于半导体衬底表面的栅介质层和多晶硅栅，源区和漏区形成于对应的所述多晶硅栅的两侧；沉积SAB SiN形成SAB膜层；执行SAB膜层刻蚀；执行步骤S2时，沉积条件为：沉积源SiH4气体流量调节范围为100sccm～200sccm，沉积源NH3气体流量调节范围为0sccm～150sccm，沉积源He气体流量调节范围为0sccm～2000sccm。本发明还公开了一种用于半导体机台控制SAB工艺参数的SAB工艺控制模块。本发明能克服现有技术的缺陷，能提高栅极间SAB氮化硅膜覆盖率，提高SAB氮化硅膜均一性，防止SAB刻蚀中出现过刻蚀造成硅损耗，避免造成漏电增大，提高产品良率。

技术领域

本发明涉及集成电路生产制造领域，特别是涉及一种SAB氮化硅膜制造方法。本发明还涉及一种SAB工艺控制模块。

背景技术

在集成电路生产制造中常常会用到有自对准的金属硅化物(Salicide)和无自对准的金属硅化物(Salicide)两种器件，因此要用到金属硅化物阻挡层(SAB)工艺。现有工艺采用SiN与OX(氧气)形成的氧化膜作为SAB膜，通过刻蚀来形成SAB区。

不同于传统逻辑工艺，eFlash工艺中的基本存储单元Cell，栅极Poly间距随基本存储单元尺寸cell size缩小而减小。随着侧墙的增加，在SAB SiN沉积与刻蚀后，由于淀积的SAB膜均一性较差，非常容易在小间距的栅极间出现硅损耗，造成漏电增大，良率损耗。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明要解决的技术问题是提供一种能提高栅极间SAB氮化硅膜覆盖率，提高SAB氮化硅膜均一性，防止SAB刻蚀中出现过刻蚀造成硅损耗的SAB氮化硅膜制造方法。

本发明要解决的另一技术问题是提供一种用于半导体生产机台，能提高栅极间SAB氮化硅膜覆盖率，提高SAB氮化硅膜均一性，防止SAB刻蚀中出现过刻蚀造成硅损耗的SAB工艺控制模块。

为解决上述技术问题，本发明提供的SAB氮化硅膜制造方法，包括如下步骤：

S1，形成半导体器件的栅极结构、源区和漏区，栅极结构包括依次形成于半导体衬底表面的栅介质层和多晶硅栅，源区和漏区形成于对应的所述多晶硅栅的两侧；

S2，沉积SAB SiN形成SAB膜层；

S3，执行SAB膜层刻蚀；

其中，执行步骤S2时，沉积条件为：沉积源SiH4气体流量调节范围为100sccm～200sccm，沉积源NH3气体流量调节范围为0sccm～150sccm，沉积源He气体流量调节范围为0sccm～2000sccm。

可选择的，进一步改进所述的SAB氮化硅膜制造方法，沉积源SiH4气体流量调节范围为176sccm，沉积源NH3气体流量调节范围为100sccm，沉积源He气体流量调节范围为2000sccm。

可选择的，进一步改进所述的SAB氮化硅膜制造方法，执行步骤S3时，通过SiN和OX采用第一刻蚀选择比执行主刻蚀，且使主刻蚀时间在原有主刻蚀时间上减少第一预设时段；通过SiN和OX采用第二刻蚀选择比执行过刻蚀，且使过刻蚀时间在原有过刻蚀时间上增加第二预设时段。

可选择的，进一步改进所述的SAB氮化硅膜制造方法，第一刻蚀选择比SiN和OX刻蚀选择比为1:1，第一预设段范围为8S-12s；

第二刻蚀选择比SiN和OX刻蚀选择比为∞:1，第二预设段范围为30S-100s。