[发明专利]一种高抗弯折性ITO透明导电膜

说明书

本发明公开了一种高抗弯折性ITO透明导电膜，包括基材层，所述基材层的一面由内向外依次涂布有第一底涂层、真空磁控溅射镀有氧化铟锡层，其中所述第一底涂层为丙烯酸树脂层、聚氨酯树脂层、或者有机硅树脂层，厚度为10~50nm，折射率为1.48~1.59；所述氧化铟锡层镀附于第一底涂层表面，厚度15~50nm，铟锡比90：10‑93：7，结晶后电阻25~170欧姆。本案通过在基材层涂布第一底涂层后，再溅射氧化铟锡层，这样能增加整体ITO导电膜的弹性和韧性，使ITO导电膜具有更好的抗弯折性，加工阶段经弯折后，表面也不会龟裂，从而确保ITO的面电阻稳定性，并且本发明在真空环境下进行镀膜制成,从而能够在氧化铟锡层与第一底涂层之间省去涂布加硬层，节约成本。

技术领域

本发明涉及导电膜领域，尤其涉及一种高抗弯折性ITO透明导电膜。

背景技术

近年来，随着半导体制造技术及光伏技术突飞猛进的发展，诸如平面显示器、触控屏、窗膜、聚合物分散液晶、太阳能电池等技术迅速发展和完善，这些新技术都需要用到透明导电膜作为电极、受光面或者电磁脉冲屏蔽膜。以触控屏为例，触控屏中常用的几种类型如电阻式触控屏、表面电容式触控屏、感应电容式触控屏都需要利用透明导电膜作为电极材料。

透明导电膜公认的定义为在可见光范围为透明的，并且具有较低的电阻率。目前常用的透明导电膜有ITO膜、AZO膜以及氧化铝等。

在常规的透明导电膜里，ITO(氧化铟锡混合物)膜是最常用，也是性能最好的一种。ITO是一种氧化锡与三氧化二铟的混合物，不仅导电性和透明性优于其他诸如：AZO(掺铝氧化锌)、三氧化二铝等材料，而且具有其他透明导电膜所不具备的高硬度与高化学稳定性，所以，目前在大规模生产中，大多选用ITO作为透明导电膜的材料。在膜层设计中，要得到更好的透过率，空气、薄膜、基底的折射率必须进行良好的匹配，对单层单一折射率镀膜而言，如果镀膜折射率的平方等于空气折射率乘以基底折射率，那么理论上镀膜的反射率将会降至最低。

但现有的ITO膜抗弯折性差，在ITO膜后加工阶段容易产生细裂纹，造成面电阻不稳定，随着时间过程面电阻变高，触摸屏产品灵敏度下降，甚至于完全不能触摸。

发明内容

本发明目的是：提供一种高抗弯折性ITO透明导电膜，其整体具有更好的抗弯折性，加工阶段经弯折后，表面也不会龟裂，从而确保ITO的面电阻稳定性，并提高由其加工获得的触摸屏类产品的质量。

本发明的技术方案是这样实现的：一种高抗弯折性ITO透明导电膜，包括基材层，所述基材层的一面由内向外依次涂布有第一底涂层、真空磁控溅射镀有氧化铟锡层，其中所述第一底涂层为丙烯酸树脂层、聚氨酯树脂层或者有机硅树脂层厚度为10～50nm，折射率为1.48～1.7；

所述氧化铟锡层镀附于第一底涂层表面，厚度15～50nm，铟锡比90：10-93：7，结晶后电阻25～170欧姆。

在某些实施方式中，所述第一底涂层为丙烯酸树脂层，厚度为30nm，折射率为1.50。

在某些实施方式中，所述氧化铟锡层的厚度为18nm，铟锡比93：7。

在某些实施方式中，所述基材层的另一面上涂布有第二底涂层，而在第二底涂层上涂布有加硬层，

其中所述第二底涂层为丙烯酸树脂层、聚氨酯树脂层或者有机硅树脂层，厚度为30～200nm，折射率为1.55～1.59；

所述加硬层为丙烯酸树脂层，厚度为0.3～3μm，折射率1.48～1.54，硬度为铅笔硬度1H～3H。

在某些实施方式中，所述第二底涂层厚度为80nm，折射率为1.57。

在某些实施方式中，所述加硬层厚度为1μm，折射率为1.5，硬度为铅笔硬度1H。