[发明专利]控制表面形态的化学气相沉积层制备方法、装置及设备在审

专利信息
申请号: 202010882379.9 申请日: 2020-08-27
公开(公告)号: CN111763929A 公开(公告)日: 2020-10-13
发明(设计)人: 蔡坤峯 申请(专利权)人: 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
主分类号: C23C16/52 分类号: C23C16/52
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 张洋
地址: 250000 山东省济南市*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 控制 表面 形态 化学 沉积 制备 方法 装置 设备
【权利要求书】:

1.一种控制表面形态的化学气相沉积层制备方法,其特征在于,包括:

获取并响应于反应开始指令,根据预设起始温度调节所述化学气相沉积炉的加热器温度至初始温度;

根据所述初始温度以及反应的吸放热状态,调节所述化学气相沉积炉的加热器温度。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述初始温度以及反应的吸放热状态,调节所述化学气相沉积炉的加热器温度,包括:

若所述吸放热状态为放热反应,则根据所述初始温度沿时序递减调节化学气相沉积炉的加热器温度;

若所述吸放热状态为吸热反应,则根据所述初始温度沿时序递增调节化学气相沉积炉的加热器温度。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述获取并响应于反应开始指令,根据预设起始温度调节所述化学气相沉积炉的加热器温度至初始温度之前,所述方法还包括:

获取目标化学沉积反应对应的所述预设起始温度,及所述吸放热状态。

4.如权利要求2或3所述的方法,其特征在于,所述吸放热状态为吸热反应时,所述初始温度高于所述预设起始温度。

5.如权利要求2或3所述的方法,其特征在于,所述吸放热状态为放热反应时,所述初始温度低于所述预设起始温度。

6.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述初始温度沿时序递减调节化学气相沉积炉的加热器温度,包括:

根据所述初始温度,以预设时长间隔逐级递减调节所述化学气相沉积炉的加热器温度,其中,所述预设时长为相邻两次调节所述加热器温度的间隔时长。

7.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述初始温度沿时序递增调节化学气相沉积炉的加热器温度,包括:

根据所述初始温度,以预设时长间隔逐级递增调节所述化学气相沉积炉的加热器温度,其中,所述预设时长为相邻两次调节所述加热器温度的间隔时长。

8.一种控制表面形态的化学气相沉积层制备装置,其特征在于,包括:

响应模块,用于获取并响应于反应开始指令,根据预设起始温度调节所述化学气相沉积炉的加热器温度至初始温度;

调节模块,用于根据所述初始温度以及反应的吸放热状态,调节所述化学气相沉积炉的加热器温度。

9.如权利要求8所述的装置,其特征在于,所述调节模块具体用于,若所述吸放热状态为放热反应,则根据所述初始温度沿时序递减调节化学气相沉积炉的加热器温度;若所述吸放热状态为吸热反应,则根据所述初始温度沿时序递增调节化学气相沉积炉的加热器温度。

10.一种化学沉积反应设备,其特征在于,包括化学气相沉积炉,以及与所述化学气相沉积炉的加热器通信连接的控制器,所述控制器用于执行如权利要求1至7任一项所述的控制表面形态的化学气相沉积层制备方法。

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