[发明专利]控制表面形态的化学气相沉积层制备方法、装置及设备

说明书

本发明提供一种控制表面形态的化学气相沉积层制备方法、装置及设备，属于半导体技术领域。控制表面形态的化学气相沉积层制备方法，包括：获取并响应于反应开始指令，根据预设起始温度调节化学气相沉积炉的加热器温度至初始温度；根据初始温度以及反应的吸放热状态，调节化学气相沉积炉的加热器温度。本发明的目的在于提供一种控制表面形态的化学气相沉积层制备方法、装置及化学沉积反应设备，能够根据化学沉积反应的吸放热状态对加热器温度进行调节，从而提高炉内化学沉积形成的薄膜的厚度均匀性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种控制表面形态的化学气相沉积层制备方法、装置及设备。

背景技术

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)是利用化学反应的方式，在反应器内，将反应气体生成固态的生成物，并沉积在基材表面的一种薄膜沉积技术。而化学气相沉积制备工艺中，可分为常压(Ambient Pressure，AP)、低压(Low Pressure，LP)、电浆(Plasma Enhanced，PE)三种不同沉积方式。另外，化学气相沉积的反应设备(化学气相沉积炉)结构根据不同制备工艺可分为水平式(Horizontal Type)(包括炉管式)、直立式(Vertical Type)、直桶式(Barrel Type)、管状式(Tubular Type)、烘盘式(Pancake Type)和连贯式(Continuous Type)等。

通常，化学气相沉积炉，在进行化学气相沉积工艺时，根据工艺要求设定为固定的反应温度。因此，目前的化学气相沉积炉内沉积的薄膜容易出现厚度不均匀、不平坦的情况，影响最终的产品良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种控制表面形态的化学气相沉积层制备方法、装置及化学沉积反应设备，能够根据化学沉积反应的吸放热状态对加热器温度进行调节，从而提高炉内化学沉积形成的沉积层的厚度均匀性，使其表面平坦。

本发明的实施例是这样实现的：

本发明实施例的一方面，提供一种控制表面形态的化学气相沉积层制备方法，包括：

获取并响应于反应开始指令，根据预设起始温度调节化学气相沉积炉的加热器温度至初始温度；

根据初始温度以及反应的吸放热状态，调节化学气相沉积炉的加热器温度。

可选地，根据初始温度以及反应的吸放热状态，调节化学气相沉积炉的加热器温度，包括：

若吸放热状态为放热反应，则根据初始温度沿时序递减调节化学气相沉积炉的加热器温度；

若吸放热状态为吸热反应，则根据初始温度沿时序递增调节化学气相沉积炉的加热器温度。

可选地，在获取并响应于反应开始指令，根据预设起始温度调节化学气相沉积炉的加热器温度至初始温度之前，方法还包括：

获取目标化学沉积反应对应的预设起始温度，及吸放热状态。

可选地，吸放热状态为吸热反应时，初始温度高于预设起始温度。

可选地，吸放热状态为放热反应时，初始温度低于预设起始温度。

可选地，根据初始温度沿时序递减调节化学气相沉积炉的加热器温度，包括：

根据初始温度，以预设时长间隔逐级递减调节化学气相沉积炉的加热器温度，其中，预设时长为相邻两次调节加热器温度的间隔时长。

可选地，根据初始温度沿时序递增调节化学气相沉积炉的加热器温度，包括：

根据初始温度，以预设时长间隔逐级递增调节化学气相沉积炉的加热器温度，其中，预设时长为相邻两次调节加热器温度的间隔时长。