[发明专利]制作半导体器件的装置在审
| 申请号： | 202010882878.8 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN112447558A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 李志聪;杨胜钧;邱云姿;万昭宏;林艺民;倪其聪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作 半导体器件 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种制作半导体器件的装置，其特征在于，所述装置包括：
壳体，界定缓冲腔室；
多个反应器端口，形成在所述壳体中，用于与多个工艺腔室建立接口，所述多个工艺腔室用于在制作所述半导体器件的制作工艺期间接纳晶片；
晶片定位机器人，至少部分地定位在所述缓冲腔室内以通过所述多个反应器端口在所述多个工艺腔室之间运送所述晶片；
吹洗端口，形成在所述壳体中，用于将吹洗气体引入到所述缓冲腔室中；
泵端口，形成在所述壳体中，用于从所述缓冲腔室排放所述吹洗气体的一部分；以及
第一流量增强器，所述第一流量增强器当与所述吹洗端口相邻地排列时将沿所述吹洗端口的纵向轴线在轴向方向上流动的所述吹洗气体相对于所述纵向轴线在多个径向方向上引导到所述缓冲腔室中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
