[发明专利]制作半导体器件的装置

说明书

一种制作半导体器件的装置具有：壳体，界定缓冲腔室；多个反应器端口，形成在壳体中，用于与多个工艺腔室建立接口，所述多个工艺腔室用于在制作半导体器件的制作工艺期间接纳晶片；晶片定位机器人，定位在缓冲腔室中以通过所述多个反应器端口在所述多个工艺腔室之间运送晶片；吹洗端口，形成在壳体中，用于将吹洗气体引入到缓冲腔室中；泵端口，形成在壳体中，用于从缓冲腔室排放吹洗气体的一部分；以及第一流量增强器，将沿吹洗端口的纵向轴线在轴向方向上流动的吹洗气体相对于纵向轴线在多个径向方向上引导到缓冲腔室中。

技术领域

本发明的实施例涉及一种制作半导体器件的装置。

背景技术

例如晶体管等半导体器件用于多种电子器件中，例如手机、膝上型计算机、桌上型计算机、平板计算机、手表、游戏系统以及各种其他工业电子器件、商业电子器件及消费型电子器件。一般来说，半导体晶片经历一次或多次处理以在晶片上、在晶片中和/或从晶片生产半导体器件。

发明内容

本发明的一些实施例提供一种制作半导体器件的装置，所述装置包括：壳体，界定缓冲腔室；多个反应器端口，形成在所述壳体中，用于与多个工艺腔室建立接口，所述多个工艺腔室用于在制作所述半导体器件的制作工艺期间接纳晶片；晶片定位机器人，至少部分地定位在所述缓冲腔室内以通过所述多个反应器端口在所述多个工艺腔室之间运送所述晶片；吹洗端口，形成在所述壳体中，用于将吹洗气体引入到所述缓冲腔室中；泵端口，形成在所述壳体中，用于从所述缓冲腔室排放所述吹洗气体的一部分；以及第一流量增强器，所述第一流量增强器当与所述吹洗端口相邻地排列时将沿所述吹洗端口的纵向轴线在轴向方向上流动的所述吹洗气体相对于所述纵向轴线在多个径向方向上引导到所述缓冲腔室中。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各方面。注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并未按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1说明根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置，所述装置包括泵端口与吹洗端口的不对称排列。

图2说明根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置，所述装置包括泵端口与吹洗端口的对称排列。

图3说明根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置的流量增强器的立体图，所述流量增强器当与形成在界定缓冲腔室的壳体中的端口相邻地排列时改变气流。

图4说明根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置的流量增强器的立体图，所述流量增强器当与形成在界定缓冲腔室的壳体中的端口相邻地排列时改变气流。

图5说明根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置的流量增强器的立体图，所述流量增强器当与形成在界定缓冲腔室的壳体中的端口相邻地排列时改变气流。

图6说明根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置的流量增强器的侧视图，所述流量增强器当与形成在界定缓冲腔室的壳体中的端口相邻地排列时改变气流。

图7说明根据一些实施例的流量增强器的剖视图，所述剖视图是沿图6中的线7-7截取。

图8说明根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置的流量增强器的仰视图，所述流量增强器当与形成在缓冲腔室的壳体中的端口相邻地排列时改变气流。

图9说明根据一些实施例的流量增强器的剖视图，所述剖视图是沿图8中的线9-9截取。

图10说明根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置的流量增强器的立体图，所述流量增强器当与形成在界定缓冲腔室的壳体中的端口相邻地排列时改变气流。

图11说明根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置的流量增强器的侧视图，所述流量增强器当与形成在界定缓冲腔室的壳体中的端口相邻地排列时改变气流。