[发明专利]用于减轻编程干扰的设备和方法

说明书

本申请涉及用于减轻编程干扰的设备和方法。操作存储器的方法和被配置成执行类似方法的存储器可以包含：对串联连接存储器单元串的特定存储器单元执行读出操作；使用于所述串联连接存储器单元串的第二存储器单元的相应存取线放电到第一电压电平；使用于所述特定存储器单元的相应存取线放电到高于所述第一电压电平的第二电压电平；以及使用于所述串联连接存储器单元串的第三存储器单元的相应存取线放电到低于所述第二电压电平并且高于所述第一电压电平的第三电压电平。

相关申请

本申请要求于2019年8月29日提交的美国临时申请第62/893,331号的权益，所述美国临时申请特此通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及存储器，并且具体地，在一或多个实施例中，本公开涉及用于减轻编程干扰的设备和方法。

背景技术

存储器(例如，存储器装置)通常以内部半导体集成电路装置的形式设置于计算机或其它电子装置中。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)和闪存。

闪存已经发展成为广泛的电子应用的非易失性存储器的流行来源。闪存通常使用单晶体管存储器单元，所述单晶体管存储器单元可以实现高存储器密度、高可靠性和低功耗。通过对电荷储存结构(例如，浮栅或电荷陷阱(charge trap))进行编程(通常被称为写入)或其它物理现象(例如，相变或极化)实现的存储器单元的阈值电压(Vt)的变化决定了每个存储器单元的数据状态(例如，数据值)。闪存和其它非易失性存储器的常见用途包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电器、车辆、无线装置、移动电话和可移除存储器模块，并且非易失性存储器的用途继续扩展。

与非(NAND)闪存是一种常见的闪存装置，其由于基本存储器单元配置被布置的逻辑形式而如此命名。通常，与非闪存的存储器单元阵列被布置成使得阵列的行的每个存储器单元的控制栅极连接在一起以形成如字线等存取线。阵列的列包含在一对选择门(例如，源极选择晶体管和漏极选择晶体管)之间串联连接在一起的存储器单元串(通常被称为与非串)。每个源极选择晶体管可以连接到源极，而每个漏极选择晶体管可以连接到数据线，如列位线。已知的是，在存储器单元串与源极之间和/或存储器单元串与数据线之间使用一个以上选择门来实现改变。

存储器中的编程通常通过以下来完成：施加由编程验证脉冲分离的多个编程脉冲以将所选组存储器单元中的每个存储器单元编程为相应的预期数据状态(其可以是临时或最终数据状态)。利用此类方案，将编程脉冲施加到用于所选存储器单元的存取线，如通常被称为字线的那些存取线。在每个编程脉冲之后，使用一或多个编程验证脉冲来验证所选存储器单元的编程。目前的编程通常在增量步骤脉冲编程方案中使用许多编程脉冲，其中每个编程脉冲是使存储器单元阈值电压移动某一量的单个脉冲。

发明内容

本申请的一方面涉及一种操作存储器的方法，所述方法包括：对串联连接存储器单元串的特定存储器单元执行读出操作，其中所述串联连接存储器单元串的每个存储器单元连接到多条存取线中的相应存取线；使所述多条存取线中用于所述串联连接存储器单元串的第二存储器单元的所述相应存取线放电到第一电压电平；使所述多条存取线中用于所述特定存储器单元的所述相应存取线放电到高于所述第一电压电平的第二电压电平；以及使所述多条存取线中用于所述串联连接存储器单元串的第三存储器单元的所述相应存取线放电到低于所述第二电压电平并且高于所述第一电压电平的第三电压电平。