[发明专利]阳极化装置

说明书

本发明涉及阳极化装置，能够在基板表面形成膜质不同的多个多孔质层。实施方式的阳极化装置包括：第1处理槽(101)，能够进行基板的阳极化处理；第2处理槽(103)，设置在第1处理槽的内侧，能够进行基板的阳极化处理；第1电解液供给单元(12)，能够向第1处理槽供给第1电解液；第2电解液供给单元(11)，能够向第2处理槽供给第2电解液；保持部(108)，能够保持基板；第1电极(104)，设置在第1处理槽或第2处理槽的上方；以及第2电极(107)，设置在第1处理槽及第2处理槽的下方。

相关申请的引用：本申请享有以日本专利申请2020-51370号(申请日：2020年3月23日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及阳极化装置。

背景技术

已知有通过阳极化而在硅表面形成多孔质层的技术。

发明内容

实施方式提供一种能够在基板表面形成膜质不同的多个多孔质层的阳极化装置。

实施方式所涉及的阳极化装置包括：第1处理槽，能够进行基板的阳极化处理；第2处理槽，设置在第1处理槽的内侧，能够进行基板的阳极化处理；第1电解液供给单元，能够向第1处理槽供给第1电解液；第2电解液供给单元，能够向第2处理槽供给第2电解液；保持部，能够保持基板；第1电极，设置在第1处理槽或第2处理槽的上方；以及第2电极，设置在第1处理槽及第2处理槽的下方。

附图说明

图1是第1实施方式所涉及的阳极化装置的框图。

图2是第1实施方式所涉及的阳极化装置所具备的阳极化处理部的立体图。

图3是第1实施方式所涉及的阳极化装置所具备的阳极化处理部的截面图。

图4是表示第1实施方式所涉及的阳极化装置中的阳极化处理中的电解液的浓度监视的结果的图表。

图5是表示使用第1实施方式所涉及的阳极化装置进行了阳极化处理后的半导体基板的图。

图6是表示利用了使用第1实施方式所涉及的阳极化装置进行了阳极化处理后的半导体基板的半导体装置的制造方法的图。

图7是第2实施方式的第1例所涉及的阳极化装置所具备的阳极化处理部的立体图。

图8是第2实施方式的第1例所涉及的阳极化装置所具备的阳极化处理部的截面图。

图9是第2实施方式的第2例所涉及的阳极化装置的框图。

图10是第2实施方式的第2例所涉及的阳极化装置所具备的阳极化处理部的立体图。

图11是第2实施方式的第2例所涉及的阳极化装置所具备的阳极化处理部的截面图。

图12是第2实施方式的第3例所涉及的阳极化装置所具备的阳极化处理部的立体图。

图13是第2实施方式的第3例所涉及的阳极化装置所具备的阳极化处理部的截面图。

图14是第3实施方式的第1例所涉及的阳极化装置中的阳极化处理的流程图。

图15是第3实施方式的第2例所涉及的阳极化装置中的阳极化处理的流程图。

图16是第3实施方式的第3例所涉及的阳极化装置中的阳极化处理的流程图。

图17是第3实施方式的第4例所涉及的阳极化装置中的阳极化处理的流程图。

图18是第3实施方式的第5例所涉及的阳极化装置中的阳极化处理的流程图。

图19是第3实施方式的第6例所涉及的阳极化装置中的阳极化处理的流程图。