[发明专利]基板及其制造方法、显示装置及其制造方法在审
申请号: | 202010883934.X | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN114121868A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 王美丽;齐琪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/488;H01L21/48;H01L33/62 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;张博 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种基板,其特征在于,包括衬底,在所述衬底上设有用于键合电子元件的至少两个键合焊盘,所述电子元件上设有至少两个引脚;在所述键合焊盘的远离所述衬底的一侧设有保护层,所述保护层在正对每个所述键合焊盘的位置设有开口区,以暴露出所述键合焊盘的部分表面;在所述开口区内设有低熔点合金材料形成的键合结合层,所述低熔点合金材料能够在第一预定温度下熔化,以将所述键合焊盘与所述引脚键合。
2.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,
所述低熔点合金材料的材料与所述键合焊盘、所述引脚的材料之间满足以下关系:所述低熔点合金材料在所述第一预定温度下熔化后析出金属离子,所述金属离子与所述键合焊盘、所述引脚的材料发生反应而形成化合物。
3.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,
所述低熔点合金材料选用以熔点低于预定值的低熔点金属为主体,掺杂银、铜、铋、锌、铟、锑、铅中至少一种金属元素所组成的低熔点合金材料。
4.根据权利要求3所述的基板,其特征在于,
所述低熔点金属包括锡,所述低熔点合金材料包括:锡银合金、锡银铜合金、锡锌合金、锡锌铋合金、锡铋合金、锡铋银合金、锡铜合金、以及锡铜合金掺杂镍或金或银形成的三元合金中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的基板,其特征在于,
所述键合焊盘的材料选用金、银、铜、锡中的至少一种金属材料;
所述引脚的材料选用金、银、铜、锡中的至少一种金属材料。
6.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,
所述键合结合层在垂直于所述衬底方向上的厚度为0.5~4μm。
7.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,
所述开口区在所述衬底上的正投影面积小于所述键合焊盘在所述衬底上的正投影面积。
8.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,
所述第一预定温度小于或等于250摄氏度。
9.一种显示装置,其特征在于,包括:
如权利要求1至8任一项所述的基板;
及,电子元件,所述电子元件上设有至少两个引脚;
所述电子元件的所述引脚与所述基板的键合焊盘之间通过熔化的所述键合结合层进行键合。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,
所述电子元件包括LED芯片。
11.一种基板的制造方法,其特征在于,用于制造如权利要求1至8任一项所述的基板,所述方法包括:
提供一衬底;
在所述衬底上形成至少两个键合焊盘;
在所述键合焊盘的远离所述衬底的一侧形成保护层;
对所述保护层进行图案化处理,以在正对每个所述键合焊盘的位置形成开口区;
在所述保护层的远离所述衬底的一侧形成低熔点合金材料形成的低熔点合金层,其中所述低熔点合金层至少一部分位于所述开口区内,至少一部分覆盖在所述保护层上;
对所述低熔点合金层进行图案化处理,以在所述开口区所正对的位置形成键合结合层。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,
所述方法中,所述在所述保护层的远离所述衬底的一侧形成低熔点合金材料形成的低熔点合金层,具体包括:
采用磁控溅射方式,在所述保护层的远离所述衬底的一侧沉积形成所述低熔点合金层。
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