[发明专利]一种高利用率的电阻并联结构

权利要求书

1.一种高利用率的电阻并联结构，包括：

第一控制开关阵列，用于通过接通开关管接入所连接的电阻阵列的左侧若干电阻；

第二控制开关阵列，用于通过接通开关管接入所连接的电阻阵列的右侧若干电阻；

电阻阵列，用于在所述第一控制开关阵列和第二控制开关阵列的控制下将左侧若干电阻与右侧若干电阻接入以进行并联。

2.如权利要求1所述的一种高利用率的电阻并联结构，其特征在于：所述第一控制开关阵列包括i个开关管(NM1i)，以在n选1开关的控制下接通开关管(NM1i)以接入所连接的电阻阵列左侧支路的若干电阻。

3.如权利要求2所述的一种高利用率的电阻并联结构，其特征在于：所述第二控制开关阵列包括i个开关管(NM2i)，以在n选1开关的控制下接通开关管(NM2i)以接入所连接的电阻阵列右侧支路的若干电阻。

4.如权利要求3所述的一种高利用率的电阻并联结构，其特征在于：所述电阻阵列包括2i个电阻，其中左侧支路包括串联的i个电阻(R1，R3，…R2i+1…)，右侧支路包括串联的i个电阻(R2，R4，…，R2i+2，…)，电阻(R1)的一端和电阻(R2)的一端连接在一起组成并联电阻的正端PLUS。

5.如权利要求4所述的一种高利用率的电阻并联结构，其特征在于：控制信号(CTRLi)连接至开关管(NM1i)的栅极，开关管(NM1i)的一端连接左侧支路电阻(R(2i+1))和电阻(R(2i+3))的公共端，i＝0,1,2......,6,控制信号(CTRL7)连接至左侧最后一个开关管的栅极，左侧最后一个开关管的一端连接左侧支路最后一个电阻的另一端。

6.如权利要求5所述的一种高利用率的电阻并联结构，其特征在于：控制信号(CTRL7-i)连接至开关管(NM2i)的栅极，开关管(NM2i)的一端连接右侧电阻R(2i+2)与电阻R(2i+4)的公共端，i＝0,1,2......,6，控制信号(CTRL0)连接至右侧最后一个开关管的栅极，右侧最后一个开关管的一端连接右侧支路最后一个电阻的另一端。

7.如权利要求6所述的一种高利用率的电阻并联结构，其特征在于：当选通CTRLi＝“1”，则左侧接入电阻为R1+R3+…+R(2i+1)。

8.如权利要求7所述的一种高利用率的电阻并联结构，其特征在于：当选通CTRL7-i＝“1”，则右侧接入电阻为R2+R4+…+R(2i+2)。