[发明专利]一种高利用率的电阻并联结构

说明书

本发明公开了一种高利用率的电阻并联结构，包括：第一控制开关阵列，用于通过接通开关管接入所连接的电阻阵列的左侧若干电阻；第二控制开关阵列，用于通过接通开关管接入所连接的电阻阵列的右侧若干电阻；电阻阵列，用于在所述第一控制开关阵列和第二控制开关阵列的控制下将左侧若干电阻与右侧若干电阻接入以进行并联，通过本发明，可提高电阻并联结构的电阻利用率。

技术领域

本发明涉及电路设计技术领域，特别是涉及一种高利用率的电阻并联结构。

背景技术

在电路设计中常常需要控制位去选通电阻阵列而满足设计需求，如图1所示，其选用两种不同的电阻(左边是一类电阻，右边是另一类电阻)并联以得到某种不同的设计目的(比如，利用两种不同温度系数的电阻相消，而采用多档位选择，最终选择最优的那个档位)，给予控制8个不同的档位：CTRL0、 CTRL1、CTRL2、CTRL3、CTRL4、CTRL5、CTRL6、 CTRL7，每次选通其中一个档位，左边的CTRLi和右边的CTRLi,若i 相同，则控制位相同，具体地，现有技术的普通电阻并联连接结构，包括：第一控制开关阵列10、电阻阵列20和第二控制开关阵列30。其中，第一控制开关阵列10由开关管NM10～NM17组成，用于在n选1开关(未示出)的控制下接通开关管NM1i以接入左侧某一电阻(R1、R3、R5、R7、R9、R11、R13、 R15)；电阻阵列20由电阻R1～R16组成，用于在第一控制开关阵列10和第二控制开关阵列30的控制下将左侧某一电阻与右侧某一电阻接入以进行并联；第二控制开关阵列30由开关管NM20～NM27组成，用于在n选1开关的控制下接通开关管NM2i以接入右侧某一电阻(R2、R4、R6、R8、R10、R12、R14、 R16)。

控制信号CTRLi连接至开关管NM1i的栅极，开关管NM1i的一端连接电阻R(2i+1)的一端；控制信号CTRLi连接至开关管NM2i的栅极，开关管NM2i 的一端连接电阻R(2i+2)的一端，i＝0,1,2......,7；开关管NM1i、NM2i的源极连接在一起组成并联电阻的负端MINUS，电阻R(2i+1)、R(2i+2)的另一端连接在一起组成并联电阻的正端PLUS。

当CTRLi＝1时，开关管NM1i和NM2i接通，电阻R(2i+1)和R(2i+2)被接入回路。

根据所需不同档位分别算得所需电阻根数(说明，R1R2＝61680代表R1 电阻和R2电阻的根数分别是61根和680根，根数指单位电阻个数，以此类推)， R1R2＝61680，R3R4＝62670，R5R6＝63660，R7R8＝64650， R9R10＝65640，R11R12＝66630，R13R14＝67620，R15R16＝68610，总根数需要5676。

根据图1的方法实现的电阻并联结构固然可行，但是其电阻利用率太低，很占面积。

发明内容

为克服上述现有技术存在的不足，本发明之目的在于提供一种高利用率的电阻并联结构，以提高电阻并联结构的电阻利用率。

为达上述目的，本发明提出一种高利用率的电阻并联结构，包括：

第一控制开关阵列，用于通过接通开关管接入所连接的电阻阵列的左侧若干电阻；

第二控制开关阵列，用于通过接通开关管接入所连接的电阻阵列的右侧若干电阻；

电阻阵列，用于在所述第一控制开关阵列和第二控制开关阵列的控制下将左侧若干电阻与右侧若干电阻接入以进行并联。

优选地，所述第一控制开关阵列包括i个开关管(NM1i)，以在n选1开关的控制下接通开关管(NM1i)以接入所连接的电阻阵列左侧支路的若干电阻。

优选地，所述第二控制开关阵列包括i个开关管(NM2i)，以在n选1开关的控制下接通开关管(NM2i)以接入所连接的电阻阵列右侧支路的若干电阻。