[发明专利]三维存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制造方法，包括以下步骤：

提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交替堆叠的多个栅极层或伪栅极层，以及多个绝缘层，所述多个栅极层或伪栅极层包括顶部选择栅极层或顶部选择伪栅极层；以及

在所述半导体结构中形成顶部选择栅极切线，其中所述顶部选择栅极切线在顶部选择栅极层或顶部选择伪栅极层中具有多个断开区，所述多个断开区的位置对应于所述顶部选择栅极切线下方的虚设沟道结构的位置。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半导体结构中形成沿第一方向的顶部选择栅极切线之后，还包括：

形成从所述多个断开区处贯穿所述堆叠结构的虚设沟道孔；以及

在所述虚设沟道孔中形成多个虚设沟道结构。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半导体结构中形成顶部选择栅极切线之前，还包括：

形成贯穿所述堆叠结构的多个虚设沟道结构；

其中沿着所述多个虚设沟道结构的排列方向形成顶部选择栅极切线，所述顶部选择栅极切线在所述多个虚设沟道结构处具有所述多个断开区。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，沿着所述多个虚设沟道结构形成顶部选择栅极切线的步骤包括：

沿着所述多个虚设沟道结构的排列方向去除顶部选择栅极层或顶部选择伪栅极层以及绝缘层，形成沟槽；以及

在所述沟槽中填充绝缘材料，形成所述顶部选择栅极切线。

5.如权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述堆叠结构包括堆叠的第一堆栈和第二堆栈，所述第二堆栈位于所述第一堆栈之上，所述顶部选择栅极层位于所述第二堆栈中。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，形成所述多个虚设沟道结构的步骤包括：

在所述第一堆栈的第一虚设沟道孔中填充牺牲层的情况下，形成贯穿所述第二堆栈到达所述牺牲层的第二虚设沟道孔；

去除所述牺牲层，且在所述第一虚设沟道孔和第二虚设沟道孔中形成所述虚设沟道结构。

7.一种三维存储器，包括：

衬底，所述衬底定义核心区；

堆叠结构，包括多个栅极层和多个绝缘层，其交替地堆叠在所述核心区上，所述多个栅极层包括顶部选择栅极层；

顶部选择栅极切线，贯穿所述顶部选择栅极层以将所述核心区分为多个指存储区；

多个沟道结构，布置在所述多个指存储区上并穿过所述堆叠结构；以及

多个虚设沟道结构，排列布置在所述顶部选择栅极切线下方；

其中所述顶部选择栅极切线在所述顶部选择栅极层中具有多个断开区，所述多个断开区的位置对应于所述多个虚设沟道结构的位置。

8.如权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述堆叠结构包括堆叠的第一堆栈和第二堆栈，所述第二堆栈位于所述第一堆栈之上，所述顶部选择栅极层位于所述第二堆栈中。

9.如权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，还包括：

栅线隙，贯穿所述堆叠结构以将所述核心区分为多个块存储区；

其中所述顶部选择栅极切线设在每个块存储区中。

10.如权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器是3D NAND存储器。