[发明专利]芯片封装工艺及封装芯片

权利要求书

1.一种芯片封装工艺，其特征在于，包括如下步骤：

提供基板、第一芯片和第二芯片，将所述第一芯片贴置于所述基板上；

于所述基板上形成塑封层，所述塑封层将所述第一芯片塑封；

对所述塑封层背向所述基板的一侧进行加工，以将所述第一芯片背向所述基板的一侧裸露；

所述对所述塑封层背向所述基板的一侧进行加工，以将所述第一芯片背向所述基板的一侧裸露的步骤包括：

研磨所述塑封层背向所述基板的一侧，以使研磨后的所述第一芯片背向所述基板的一侧表面与所述塑封层背向所述基板的一侧表面在同一平面上，以将所述第一芯片背向所述基板的一侧裸露；或者，

研磨与所述第一芯片所在位置相对应的所述塑封层，以使所述塑封层上形成与所述第一芯片的背部相对应的容置部，直至将所述第一芯片背向所述基板的一侧裸露；

于所述塑封层背向所述基板的一侧形成电路层，所述基板通过打线芯片与所述电路层电连接，所述第二芯片通过焊线与所述电路层电连接；

将所述第二芯片贴置于所述第一芯片背向所述基板的一侧，所述第二芯片设于所述容置部，所述第二芯片的厚度不小于所述容置部的深度。

2.如权利要求1所述的芯片封装工艺，其特征在于，在执行将所述第一芯片背向所述基板的一侧裸露的步骤之后，所述芯片封装工艺还包括：

刻蚀所述第一芯片背向所述基板的一侧，以使研磨后的所述第一芯片背向所述基板的一侧表面与所述基板之间的距离小于所述塑封层背向所述基板的一侧表面与所述基板之间的距离。

3.如权利要求1所述的芯片封装工艺，其特征在于，所述于所述塑封层背向所述基板的一侧形成电路层的步骤包括：

于所述塑封层背向所述基板的一侧形成种子层；以及

于所述塑封层背向所述基板的一侧形成所述电路层。

4.如权利要求3所述的芯片封装工艺，其特征在于，所述塑封层为有机金属复合物改性塑封料，通过激光照射使所述塑封层背向所述基板的一侧活化形成所述种子层。

5.如权利要求4所述的芯片封装工艺，其特征在于，在执行所述通过激光照射使所述塑封层背向所述基板的一侧活化形成所述种子层的步骤之前还包括：

在所述塑封层背向所述基板的一侧施加掩膜层，所述掩膜层设有与所述电路层的电路图案相对应的透光部。

6.如权利要求1至5任一项所述的芯片封装工艺，其特征在于，所述基板通过打线芯片与所述电路层电连接的步骤包括：

提供打线芯片，所述打线芯片与所述基板电连接，所述塑封层将所述打线芯片塑封，所述打线芯片具有导电柱，研磨所述塑封层，以使所述导电柱裸露，将所述导电柱与所述电路层电连接；或者

提供打线芯片，所述打线芯片与所述基板电连接，所述塑封层将所述打线芯片塑封，所述打线芯片具有导电柱，对所述塑封层进行钻孔，以使所述导电柱裸露，在所述钻孔内填充导体，通过所述导体将所述导电柱与所述电路层电连接。

7.如权利要求1至5任一项所述的芯片封装工艺，其特征在于，所述打线芯片通过连接导线与所述基板电连接，所述打线芯片与所述电路层电连接。

8.如权利要求1至5任一项所述的芯片封装工艺，其特征在于，在执行所述第二芯片通过焊线与所述电路层电连接的步骤之后，所述芯片封装工艺之后还包括：

提供第三芯片，将所述第三芯片贴置于所述电路层。

9.如权利要求8所述的芯片封装工艺，其特征在于，在执行提供第三芯片，将所述第三芯片倒装贴置于所述电路层的步骤之后，所述芯片封装工艺还包括：

在所述塑封层背向所述基板的一侧进行二次塑封，以将所述第二芯片、第三芯片以及所述电路层进行塑封。

10.一种封装芯片，其特征在于，包括：

基板；

塑封层，设于所述基板上，所述塑封层背向所述基板的一侧凹设有容置部；

第一芯片，贴置于所述基板上，并位于所述塑封层内，所述第一芯片背向所述基板的一侧与所述容置部相连通；以及

第二芯片，设于所述容置部内，并贴置于所述第一芯片背向所述基板的一侧，所述第二芯片的厚度不小于所述容置部的深度；

打线芯片，设于所述塑封层，并与所述基板电连接；

焊线，与所述第二芯片电连接；以及

电路层，设于所述塑封层背向所述基板的一侧，所述打线芯片与所述电路层电连接，所述第二芯片通过所述焊线与所述电路层电连接。