[发明专利]芯片封装工艺及封装芯片

说明书

本发明公开一种芯片封装工艺及封装芯片，其中，所述芯片封装工艺包括如下步骤：提供基板、第一芯片和第二芯片，将所述第一芯片贴置于所述基板上；于所述基板上形成塑封层，所述塑封层将所述第一芯片塑封；对所述塑封层背向所述基板的一侧进行加工，以将所述第一芯片背向所述基板的一侧裸露；将所述第二芯片贴置于所述第一芯片背向所述基板的一侧。本发明通过将第一芯片进行塑封之后，通过研磨将第一芯片的背部裸露，当将第二芯片贴置在第一芯片的背部上时，基板和第二芯片之间的距离减小，实现减小封装后的封装体的厚度。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，特别涉及一种芯片封装工艺及封装芯片。

背景技术

传统层叠封装技术(Package on Package)生产的叠型集成封装芯片，将芯片贴附在基板上之后，进行塑封，然后再在塑封层上设置基板转接板，在基板转接板上再重新贴置芯片，以实现上下垂直方向上多个芯片的集成封装结构，这样充分利用了垂直空间，不可避免的，封装体厚度会有所增大。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种芯片封装工艺及封装芯片，旨在改善现有的集成封装芯片厚度大的问题。

为实现上述目的，本发明提出的芯片封装工艺，包括如下步骤：

提供基板、第一芯片和第二芯片，将所述第一芯片贴置于所述基板上；

于所述基板上形成塑封层，所述塑封层将所述第一芯片塑封；

对所述塑封层背向所述基板的一侧进行加工，以将所述第一芯片背向所述基板的一侧裸露；

将所述第二芯片贴置于所述第一芯片背向所述基板的一侧。

可选地，所述对所述塑封层背向所述基板的一侧进行加工，以将所述第一芯片背向所述基板的一侧裸露的步骤包括：

研磨所述塑封层背向所述基板的一侧，以使研磨后的所述第一芯片背向所述基板的一侧表面与所述塑封层背向所述基板的一侧表面在同一平面上，以将所述第一芯片背向所述基板的一侧裸露。

可选地，所述对所述塑封层背向所述基板的一侧进行加工，以将所述第一芯片背向所述基板的一侧裸露的步骤包括：

研磨与所述第一芯片所在位置相对应的所述塑封层，将所述第一芯片背向所述基板的一侧裸露。

可选地，在执行将所述第一芯片背向所述基板的一侧裸露的步骤之后，所述芯片封装工艺还包括：

刻蚀所述第一芯片背向所述基板的一侧，以使研磨后的所述第一芯片背向所述基板的一侧表面与所述基板之间的距离小于所述塑封层背向所述基板的一侧表面与所述基板之间的距离。

可选地，在执行对所述塑封层背向所述基板的一侧进行加工，以将所述第一芯片背向所述基板的一侧裸露的步骤之后，所述芯片封装工艺还包括：

于所述塑封层背向所述基板的一侧形成电路层，所述基板通过打线芯片与所述电路层电连接，所述第二芯片通过焊线与所述电路层电连接。

可选地，所述于所述塑封层背向所述基板的一侧形成电路层的步骤包括：

于所述塑封层背向所述基板的一侧形成种子层；以及

于所述塑封层背向所述基板的一侧形成所述电路层。

可选地，所述塑封层为有机金属复合物改性塑封料，通过激光照射使所述塑封层背向所述基板的一侧活化形成所述种子层。

可选地，在执行所述通过激光照射使所述塑封层背向所述基板的一侧活化形成所述种子层的步骤之前还包括：

在所述塑封层背向所述基板的一侧施加掩膜层，所述掩膜层设有与所述电路层的电路图案相对应的透光部。