[发明专利]覆铜层叠体及其制造方法

权利要求书

1.覆铜层叠体，其特征在于，包含：频率10GHz下的相对介电常数为3.5以下且介电损耗角正切为0.008以下的低介电树脂膜、和在所述低介电树脂膜的至少一面层叠的非电解铜镀层，所述低介电树脂膜中与所述非电解铜镀层相接的镀层侧界面处的平均表面粗糙度Ra为1～150nm，并且所述树脂膜与所述非电解铜镀层的密合强度为4.2N/cm以上。

2.覆铜层叠体，其特征在于，包含：频率10GHz下的相对介电常数为3.5以下且介电损耗角正切为0.008以下的低介电树脂膜、和在所述低介电树脂膜的至少一面层叠的非电解铜镀层，所述非电解铜镀层中的微晶的加权平均尺寸为25～300nm，并且所述树脂膜与所述非电解铜镀层的密合强度为4.2N/cm以上。

3.根据权利要求2所述的覆铜层叠体，其中，所述非电解铜镀层中的体积电阻率为7.0μΩ·cm以下。

4.根据权利要求2所述的覆铜层叠体，其还包括在所述非电解铜镀层上层叠的电解铜镀层，所述电解铜镀层中的微晶的加权平均尺寸为40～300nm。

5.根据权利要求2所述的覆铜层叠体，其还包括在所述非电解铜镀层上层叠的电解铜镀层，将所述非电解铜镀层中的微晶的加权平均尺寸设为第一微晶，将所述电解铜镀层中的微晶的加权平均尺寸设为第二微晶，所述第二微晶与所述第一微晶的比率(第二微晶/第一微晶)为2.0以下。

6.覆铜层叠体，其特征在于，包含：频率10GHz下的相对介电常数为3.5以下且介电损耗角正切为0.008以下的低介电树脂膜、和在所述低介电树脂膜的至少一面层叠的非电解铜镀层，在所述非电解铜镀层上包括电解铜镀层，所述电解铜镀层中的微晶的加权平均尺寸为40～300nm，将所述非电解铜镀层中的微晶的加权平均尺寸设为第一微晶，将所述电解铜镀层中的微晶的加权平均尺寸设为第二微晶，所述第二微晶与所述第一微晶的比率(第二微晶/第一微晶)为2.0以下，并且所述树脂膜与所述非电解铜镀层的密合强度为4.2N/cm以上。

7.根据权利要求6所述的覆铜层叠体，其中，所述非电解铜镀层中的微晶的加权平均尺寸为25～300nm。

8.覆铜层叠体，其特征在于，包含：频率10GHz下的相对介电常数为3.5以下且介电损耗角正切为0.008以下的低介电树脂膜、和在所述低介电树脂膜的至少一面层叠的非电解铜镀层，所述非电解铜镀层中的Ni含有率为0.01～1.2wt％，并且所述非电解铜镀层的体积电阻率为6.0μΩ·cm以下。

9.根据权利要求8所述的覆铜层叠体，其中，所述树脂膜与所述非电解铜镀层的密合强度为4.2N/cm以上。

10.根据权利要求8所述的覆铜层叠体，其中，所述非电解铜镀层中的Ni含有率为0.01～1.0wt％。

11.根据权利要求2～10中任一项所述的覆铜层叠体，其中，所述低介电树脂膜中与所述非电解铜镀层相接的镀层侧界面处的平均表面粗糙度Ra为1～150nm。

12.根据权利要求4～7中任一项所述的覆铜层叠体，其中，所述电解铜镀层中的体积电阻率为5.0μΩ·cm以下。

13.根据权利要求1～10中任一项所述的覆铜层叠体，其中，所述树脂膜的镀层侧界面处的采用飞行时间型质量分析法(TOF-SIMS)得到的质量121的强度为800以上。

14.根据权利要求1～10中任一项所述的覆铜层叠体，其中，对于所述树脂膜的镀层侧界面赋予了羟基和/或羧基。

15.根据权利要求14所述的覆铜层叠体，其中，在所述镀层侧界面处，比所述羧基多地赋予了所述羟基。