[发明专利]一种半导体设备中研磨装置内零件的清洗工艺有效
申请号: | 202010888492.8 | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN112170276B | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 张巨宇;贺贤汉;朱光宇;王松朋;张正伟;李泓波 | 申请(专利权)人: | 富乐德科技发展(大连)有限公司 |
主分类号: | B08B1/00 | 分类号: | B08B1/00;B08B1/04;B08B3/08;B08B13/00;B08B5/02;B08B3/02;B08B3/12;F21V33/00;B24B53/00;B24B27/033 |
代理公司: | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人: | 盖小静 |
地址: | 116600 辽宁省大连市保税区*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体设备 研磨 装置 零件 清洗 工艺 | ||
本发明公开了一种半导体设备中研磨装置内零件的清洗工艺,包括:对防护外壳、薄膜内圈夹具、薄膜底部夹具、薄膜中部夹具、薄膜上部夹具、传感器柱塞、传感器夹具、阻尼平衡环、阻尼平衡环夹具采用低度清洗工艺进行处理,对法兰、滚动密封圈压环、薄膜上盖夹具采用中度清洗工艺进行处理,对薄膜外圈夹具、内罩、外罩采用中高度清洗工艺进行处理,对研磨头主体采用高度清洗工艺进行处理。本申请将研磨头拆解下的零部件逐一进行清洁,在零部件无严重损伤的情况下,去除附着在零部件表面或者孔内的脏污、研磨液残渣、晶圆残渣等杂质。
技术领域
本发明属于半导体设备部件清洗翻新技术领域,具体涉及一种半导体设备中研磨装置内零件的清洗工艺。
背景技术
研磨机的研磨头直接与半导体生产制作的晶圆相接触,所以研磨头的洁净程度直接影响晶圆品质,研磨头在机台上作业时所处的环境会沾到研磨液及晶圆研磨产生的碎屑,经过长时间的研磨作业,研磨头上势必会沾上脏污,为了防止研磨头上的脏污掉落在晶圆上导致其污染与划伤,所以需要定期的对研磨头进行重建和翻新。
随着半导体芯片精密程度的提升,原有的研磨头重建和翻新工艺已经无法满足半导体芯片制作的工艺需求,因为大线宽芯片原有的小划伤对整个晶圆造成的良率损失较小,小线宽芯片小划伤对良率的影响就会变大,所以针对研磨头的翻新,需要做出一定的提升,来改善对晶圆产品的划伤和污染问题,来帮助半导体制造公司降低芯片制作过程中导致的良率损失。
发明内容
本申请提供一种半导体设备中研磨装置内零件的清洗工艺,其将研磨头拆解下的零部件逐一进行清洁,在零部件无严重损伤的情况下,去除附着在零部件表面或者孔内的脏污、研磨液残渣、晶圆残渣等杂质。
为实现上述目的,本申请的技术方案为:一种半导体设备中研磨装置内零件的清洗工艺,包括:对防护外壳、薄膜内圈夹具、薄膜底部夹具、薄膜中部夹具、薄膜上部夹具、传感器柱塞、传感器夹具、阻尼平衡环、阻尼平衡环夹具采用低度清洗工艺进行处理,对法兰、滚动密封圈压环、薄膜上盖夹具采用中度清洗工艺进行处理,对薄膜外圈夹具、内罩、外罩采用中高度清洗工艺进行处理,对研磨头主体采用高度清洗工艺进行处理。
进一步的,所述对防护外壳、薄膜内圈夹具、薄膜底部夹具、薄膜中部夹具、薄膜上部夹具、传感器柱塞、传感器夹具、阻尼平衡环、阻尼平衡环夹具采用低度清洗工艺进行处理,具体为:
步骤11,清洗防护外壳,其材质为白色塑料:首先使用无尘布将防护外壳柱形凹槽内油渍擦拭干净,将起子电钻粘贴菜瓜布在过滤网密封凹槽和通气管凹槽内进行旋转清洁,再使用无尘布蘸高纯水将过滤网密封凹槽和通气管凹槽的脏污去除,最后无尘布蘸异丙醇将防护外壳的正反面、侧面及沟槽擦拭一遍,通过气枪吹干后放在干净的周转车上等待检查;
步骤12,清洁薄膜内圈夹具,其材质为金属不锈钢:使用无尘布蘸高纯水将薄膜内圈夹具表面擦拭一遍,再使用无尘布蘸异丙醇将薄膜内圈夹具表面擦拭一遍,通过气枪吹干后放在干净的周转车上等待检查;
步骤13,清洁薄膜底部夹具和薄膜中部夹具,其材质为塑料:使用无尘布蘸高纯水将薄膜底部夹具和薄膜中部夹具表面擦拭一遍,再使用无尘布蘸异丙醇将薄膜底部夹具和薄膜中部夹具表面擦拭一遍,通过气枪吹干后放在干净的周转车上等待检查;
步骤14,清洁薄膜上部夹具,其材质为塑料:使用无尘布蘸高纯水将薄膜上部夹具表面的锈迹和压痕擦拭干净,再使用无尘布蘸异丙醇将薄膜上部夹具正反面擦拭一遍,通过气枪吹干后放在干净的周转车上等待检查;
步骤15,清洁传感器柱塞和传感器夹具,其材质为塑料:使用无尘布蘸高纯水将传感器柱塞和传感器夹具表面的锈迹擦拭干净,再使用无尘布蘸异丙醇将传感器柱塞和传感器夹具正反面擦拭一遍,通过气枪吹干后放在干净的周转车上等待检查;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富乐德科技发展(大连)有限公司,未经富乐德科技发展(大连)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010888492.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。