[发明专利]一种晶片的获取方法及半导体器件的失效分析方法

权利要求书

1.一种晶片的获取方法，其特征在于，所述方法包括：

在半导体器件中的至少两个堆叠的封装晶片中，确定出目标晶片；

采用第一去除工艺，对位于所述目标晶片第一侧的封装晶片进行去除处理，并保留与所述目标晶片第一侧相邻的封装晶片的部分结构作为牺牲层，以覆盖所述目标晶片的第一侧；其中，所述牺牲层与所述目标晶片之间具有缓冲层，所述缓冲层至少包括：聚酰亚胺保护膜；

采用刻蚀工艺去除所述牺牲层；其中，去除所述牺牲层时，保留所述缓冲层；

采用第二去除工艺，对位于所述目标晶片第二侧的结构进行去除处理，直至暴露出所述目标晶片第二侧的表面为止，以获取到处理后的目标晶片，其中，所述封装晶片堆叠于基板上；所述目标晶片的第一侧为靠近所述基板的一侧，所述目标晶片的第二侧为远离所述基板的一侧。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一去除工艺和所述第二去除工艺均为研磨处理工艺。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述封装晶片包括晶圆结构和位于所述晶圆结构上的钝化层，所述牺牲层包括：所述钝化层和预设厚度的所述晶圆结构；所述预设厚度大于等于0。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述采用刻蚀工艺去除所述牺牲层，包括：

采用等离子刻蚀工艺完全去除所述预设厚度的晶圆结构；

采用湿法刻蚀工艺完全去除所述钝化层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在对位于所述目标晶片第二侧的结构进行去除处理之前，以及在去除所述牺牲层后，将所述目标晶片的第一侧固定于载物板上。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缓冲层与所述目标晶片之间具有粘结层，所述粘结层用于连接所述相邻的封装晶片与所述目标晶片。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在半导体器件中的至少两个堆叠的封装晶片中，确定出目标晶片，包括：

采用电学性能失效分析法，对所述半导体器件进行失效定位分析，以确定出失效晶片；

将所述失效晶片，确定为所述目标晶片。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对位于所述目标晶片第二侧的结构进行去除处理，直至暴露出所述目标晶片第二侧的表面为止，包括：

对位于所述目标晶片第二侧的封装晶片进行所述去除处理，直至暴露出所述目标晶片第二侧表面的金球为止。

9.根据权利要求1至8任一项所述的方法，其特征在于，所述半导体器件包括三维存储器。

10.一种半导体器件的失效分析方法，其特征在于，所述方法包括：

在所述半导体器件中的至少两个堆叠的封装晶片中，通过权利要求1至8任一项所述的晶片的获取方法获取待分析的目标晶片；

对获取的所述目标晶片进行失效分析。