[发明专利]一种晶片的获取方法及半导体器件的失效分析方法

说明书

本申请实施例公开了一种晶片的获取方法及半导体器件的失效分析方法，其中，所述晶片的获取方法包括：在半导体器件中的至少两个堆叠的封装晶片中，确定出目标晶片；采用第一去除工艺，对位于所述目标晶片第一侧的封装晶片进行去除处理，并保留与所述目标晶片第一侧相邻的封装晶片的部分结构作为牺牲层，以覆盖所述目标晶片的第一侧；采用刻蚀工艺去除所述牺牲层；采用第二去除工艺，对位于所述目标晶片第二侧的结构进行去除处理，直至暴露出所述目标晶片第二侧的表面为止，以获取到处理后的目标晶片，其中，所述第一侧和所述第二侧为所述目标晶片沿堆叠方向的两侧。

技术领域

本申请实施例涉及半导体技术领域，涉及但不限于一种晶片的获取方法及半导体器件的失效分析方法。

背景技术

在对半导体器件进行失效分析时，如果电学性能失效分析(Electrical FailureAnalysis，EFA)已经定位到其中某一个晶片失效，完整无损地获取失效的目标晶片是失效分析的最基本前提。

相关技术中是通过采用钻石砂纸从半导体器件的背面研磨至目标晶片的硅衬底露出，再从半导体器件的正面研磨至目标晶片正表面的金球露出的方式，来获取目标晶片的。

然而，相关技术中采用钻石砂纸研磨的方式，容易在目标晶片的硅衬底上造成划痕，且整个研磨过程减小了目标晶片的厚度，在后续处理过程中目标晶片极易沿着划痕碎裂；进一步地，相关技术中在获取目标晶片的过程中，必须抛光晶背，而抛光晶背的过程使得目标晶片处理的可控程度降低，且多次抛光过程进一步减薄了目标晶片，增加了目标晶片碎裂的风险。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种晶片的获取方法及半导体器件的失效分析方法，通过手动研磨和化学刻蚀相结合的方法，能够从半导体器件中获取到完整无损的单个晶片。

本申请实施例的技术方案是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供一种晶片的获取方法，所述方法包括：

在半导体器件中的至少两个堆叠的封装晶片中，确定出目标晶片；

采用第一去除工艺，对位于所述目标晶片第一侧的封装晶片进行去除处理，并保留与所述目标晶片第一侧相邻的封装晶片的部分结构作为牺牲层，以覆盖所述目标晶片的第一侧；

采用刻蚀工艺去除所述牺牲层；

采用第二去除工艺，对位于所述目标晶片第二侧的结构进行去除处理，直至暴露出所述目标晶片第二侧的表面为止，以获取到处理后的目标晶片，其中，所述第一侧和所述第二侧为所述目标晶片沿堆叠方向的两侧。

在其他实施例中，所述第一去除工艺和所述第二去除工艺均为研磨处理工艺。

在其他实施例中，所述封装晶片依次堆叠于基板上；

所述目标晶片的第一侧为靠近所述基板的一侧，所述目标晶片的第二侧为远离所述基板的一侧。

在其他实施例中，所述封装晶片包括晶圆结构和位于所述晶圆结构上的钝化层，所述牺牲层包括：所述钝化层和预设厚度的所述晶圆结构；所述预设厚度大于等于0。

在其他实施例中，所述采用刻蚀工艺去除所述牺牲层，包括：

采用等离子刻蚀工艺完全去除所述预设厚度的晶圆结构；

采用湿法刻蚀工艺完全去除所述钝化层。

在其他实施例中，所述方法还包括：在对位于所述目标晶片第二侧的结构进行去除处理之前，以及在去除所述牺牲层后，将所述目标晶片的第一侧固定于载物板上。

在其他实施例中，所述牺牲层与所述目标晶片之间具有缓冲层，所述缓冲层用于提供对所述目标晶片的支撑作用；所述缓冲层至少包括：聚酰亚胺保护膜。