[发明专利]一种减少硅片接触印记的湿法花篮在审
| 申请号： | 202010890055.X | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN111933559A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 邢显邦;李海波;肖文明;杨灼坚 | 申请（专利权）人： | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 224000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减少 硅片 接触 印记 湿法 花篮 | ||
【权利要求书】：
1.一种减少硅片接触印记的湿法花篮，包括支架面板和花篮杆，其特征在于，所述支架面板内设置有气路通道，所述花篮杆为中空柱状，成组对称的固定于两块所述支架面板中间，与所述气路通道连通，所述花篮杆外壁上设置有凸出的花篮齿，所述花篮杆上在对应花篮齿的位置上方开有一排通孔。
2.根据权利要求1所述的减少硅片接触印记的湿法花篮，其特征在于，两块所述支架面板之间还设置有底杠，位于所述花篮杆的下方。
3.根据权利要求1所述的减少硅片接触印记的湿法花篮，其特征在于，所述支架面板底端设置有连接口，外部气体由连接口进入气路通道。
4.根据权利要求1所述的减少硅片接触印记的湿法花篮，其特征在于，所述支架面板外部还活动的设置有气路控制阀，用来控制气路通道内气体或液体的流量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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