[发明专利]一种新式屏蔽件的射频同轴电缆及其制造方法

权利要求书

1.一种新式屏蔽件的射频同轴电缆，其特征在于，由内到外包括内导体、绝缘层、屏蔽层和外护套，所述屏蔽层为石墨烯/聚酰胺复合材料屏蔽层；所述石墨烯/聚酰胺复合材料的制备方法为：（1）将氧化石墨烯加入到熔融的聚合物单体中，再加入引发剂和活化剂，在加热条件下进行聚合反应，冷却，制粒；（2）将所得树脂粒加热，加入填充料，所述填充料包括氧化石墨烯，充分混合，冷却，制粒。

2.根据权利要求1所述的一种新式屏蔽件的射频同轴电缆，其特征在于，所述屏蔽层的厚度为0.7mm。

3.根据权利要求1所述的一种新式屏蔽件的射频同轴电缆，其特征在于，所述聚合物单体为己内酰胺，所述引发剂为氢氧化钠，所述活化剂为二苯基甲烷二异氰酸酯，所述氢氧化钠的质量为己内酰胺质量的0.08%，二苯基甲烷二异氰酸酯的质量为己内酰胺质量的0.2%。

4.根据权利要求1所述的一种新式屏蔽件的射频同轴电缆，其特征在于，屏蔽层料的制备过程中，聚合反应的温度为140-150℃。

5.一种新式屏蔽件的射频同轴电缆的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.制备屏蔽层料：在惰性气体保护下，将氧化石墨烯加入到熔融的聚合物单体中，再加入引发剂和活化剂，在加热条件下进行聚合反应，反应完成后冷却，制粒；在惰性气体保护下，将所得树脂粒加热，加入填充料，再升温，保温3-5h，然后冷却，制粒，所述填充料包括氧化石墨烯；S2.制备电缆：利用挤出工艺在绝缘层外面挤出一层屏蔽层，其他工艺按照常规工艺进行。

6.根据权利要求5所述的一种新式屏蔽件的射频同轴电缆的制备方法，其特征在于，

S1.制备屏蔽层料：在惰性气体保护下，将氧化石墨烯加入到熔融的聚合物单体中，将体系加热到140-150℃，再加入引发剂和活化剂，在加热条件下进行聚合反应，反应完成后冷却，制粒；惰性气体保护下，将所得树脂粒加热至150-160℃，树脂呈熔融状态，加入填充料，再升温至200-210℃，保温3-5h，分段式冷却后，制粒，所述填充料包括氧化石墨烯；

S2.制备电缆：挤出屏蔽层时，温度设置为：第一段45-50℃，第二段140-150℃，第三段200-210℃，第四段180-190℃。

7.根据权利要求5所述的一种新式屏蔽件的射频同轴电缆的制备方法，其特征在于，所述聚合物单体为己内酰胺，所述引发剂为氢氧化钠，所述活化剂为二苯基甲烷二异氰酸酯。

8.根据权利要求7所述的一种新式屏蔽件的射频同轴电缆的制备方法，其特征在于，所述氢氧化钠的质量为己内酰胺质量的0.08%，二苯基甲烷二异氰酸酯的质量为己内酰胺质量的0.2%。

9.根据权利要求5所述的一种新式屏蔽件的射频同轴电缆的制备方法，其特征在于，分段式冷却具体为，以5-6℃/min的速度冷却到100℃，保温1-2h，再以5-6℃/min的速度冷却至室温。