[发明专利]封装结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202010891731.5 申请日: 2020-08-27
公开(公告)号: CN112447701A 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 胡宪斌;高金福;郑礼辉;卢思维;魏文信;潘志坚 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L21/98;H01L23/10;H01L23/16
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 顾伯兴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种封装结构,包括:

线路衬底;

半导体封装,设置在所述线路衬底上且电连接到所述线路衬底;

盖结构,设置在所述线路衬底上且覆盖所述半导体封装,其中所述盖结构通过粘合材料贴合到所述线路衬底;

无源器件,设置在所述线路衬底上且在所述半导体封装与所述盖结构之间;以及

障壁结构,将所述无源器件与所述盖结构及所述粘合材料隔开,其中所述障壁结构接触所述粘合材料。

2.根据权利要求1所述的封装结构,其中所述障壁结构包括第一挡坝部分,所述第一挡坝部分位于所述无源器件与所述盖结构之间且与所述无源器件及所述盖结构间隔开,所述第一挡坝部分具有面对所述盖结构的第一侧壁及与所述第一侧壁相对且面对所述无源器件的第二侧壁,且所述第一挡坝部分的所述第一侧壁接触所述粘合材料。

3.根据权利要求2所述的封装结构,其中所述第一挡坝部分还环绕所述无源器件的侧表面。

4.根据权利要求2所述的封装结构,其中所述障壁结构还包括第二挡坝部分,所述第二挡坝部分位于所述第一挡坝部分与所述无源器件之间且与所述无源器件及所述第一挡坝部分间隔开。

5.一种封装结构,包括:

线路衬底;

中介层结构,设置在所述线路衬底上且电连接到所述线路衬底;

多个半导体管芯,设置在所述中介层结构上且电连接到所述中介层结构;

盖结构,设置在所述线路衬底上且环绕所述中介层结构及所述多个半导体管芯,其中所述盖结构通过粘合材料贴合到所述线路衬底;

多个无源器件,设置在所述线路衬底上且在所述中介层结构与所述盖结构之间,其中所述多个无源器件具有面对所述盖结构的第一表面及与所述第一表面相对且面对所述中介层结构的第二表面;以及

多个障壁结构,设置在所述线路衬底上且在所述中介层结构与所述盖结构之间,其中所述多个障壁结构将所述多个无源器件的所述第一表面与所述盖结构及所述粘合材料隔开。

6.根据权利要求5所述的封装结构,其中所述中介层结构通过多个导电端子电连接到所述线路衬底,且所述封装结构还包括环绕所述多个导电端子的底部填充结构,且所述多个障壁结构接触所述底部填充结构。

7.根据权利要求5所述的封装结构,其中所述多个障壁结构包括第一挡坝部分,所述第一挡坝部分位于所述多个无源器件与所述盖结构之间且与所述多个无源器件及所述盖结构间隔开,所述第一挡坝部分具有面对所述盖结构的第一侧壁及与所述第一侧壁相对且面对所述多个无源器件的第二侧壁,且所述第一挡坝部分的所述第一侧壁接触所述粘合材料。

8.根据权利要求7所述的封装结构,其中所述多个障壁结构还包括第二挡坝部分,所述第二挡坝部分位于所述第一挡坝部分与所述多个无源器件之间且与所述多个无源器件及所述第一挡坝部分间隔开,且所述第二挡坝部分的高度不同于所述第一挡坝部分的高度。

9.一种制作封装结构的方法,包括:

将半导体封装设置到线路衬底上;

在所述线路衬底上邻近所述半导体封装设置无源器件;

通过在所述线路衬底上施配聚合物墨水材料且将所述聚合物墨水材料固化以形成障壁结构而在所述线路衬底上邻近所述无源器件形成所述障壁结构;以及

通过粘合材料将盖结构贴合在所述线路衬底上,其中所述障壁结构将所述无源器件与所述盖结构及所述粘合材料隔开,且所述粘合材料接触所述障壁结构。

10.根据权利要求9所述的方法,其中所述聚合物墨水材料被施配在所述线路衬底上的位于所述无源器件与所述盖结构之间且与所述无源器件及所述盖结构间隔开的区域中,且在将所述聚合物墨水材料固化之后,是形成包括第一挡坝部分的障壁结构,所述第一挡坝部分具有面对所述盖结构的第一侧壁及与所述第一侧壁相对且面对所述无源器件的第二侧壁,且所述盖结构是贴合到所述线路衬底以使所述粘合材料接触所述第一侧壁。

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