[发明专利]封装结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202010891731.5 申请日: 2020-08-27
公开(公告)号: CN112447701A 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 胡宪斌;高金福;郑礼辉;卢思维;魏文信;潘志坚 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L21/98;H01L23/10;H01L23/16
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 顾伯兴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构 及其 制作方法
【说明书】:

一种封装结构包括线路衬底、半导体封装、盖结构、无源器件及障壁结构。半导体封装设置在线路衬底上且电连接到线路衬底。盖结构设置在线路衬底上且覆盖半导体封装。盖结构通过粘合材料贴合到线路衬底。无源器件在半导体封装与盖结构之间设置在线路衬底上。障壁结构将无源器件与盖结构及粘合材料隔开且障壁结构接触粘合材料。

技术领域

本公开实施例是有关一种封装结构,且具体来说涉及包括有障壁结构的一种封装结构及其制作方法。

背景技术

各种电子应用(例如,手机及其他移动电子装备)中所使用的半导体器件及集成电路通常是在单个半导体晶片上制造。晶片的管芯可以在晶片级(wafer level)下来与其他半导体器件或管芯一起进行处理及封装,且已针对晶片级封装开发了各种技术。

发明内容

本公开实施例提供一种封装结构,包括线路衬底、半导体封装、盖结构、无源器件以及障壁结构。半导体封装设置在所述线路衬底上且电连接到所述线路衬底。盖结构设置在所述线路衬底上且覆盖所述半导体封装,其中所述盖结构通过粘合材料贴合到所述线路衬底。无源器件设置在所述线路衬底上且在所述半导体封装与所述盖结构之间。障壁结构将所述无源器件与所述盖结构及所述粘合材料隔开,其中所述障壁结构接触所述粘合材料。

本公开实施例提供一种封装结构,包括线路衬底、中介层结构、多个半导体管芯、盖结构、多个无源器件以及多个障壁结构。中介层结构设置在所述线路衬底上且电连接到所述线路衬底。多个半导体管芯设置在所述中介层结构上且电连接到所述中介层结构。盖结构设置在所述线路衬底上且环绕所述中介层结构及所述多个半导体管芯,其中所述盖结构通过粘合材料贴合到所述线路衬底。多个无源器件设置在所述线路衬底上且在所述中介层结构与所述盖结构之间,其中所述多个无源器件具有面对所述盖结构的第一表面及与所述第一表面相对且面对所述中介层结构的第二表面。多个障壁结构设置在所述线路衬底上且在所述中介层结构与所述盖结构之间,其中所述多个障壁结构将所述多个无源器件的所述第一表面与所述盖结构及所述粘合材料隔开。

本公开实施例提供一种制作封装结构的方法,包括以下步驟:将半导体封装设置到线路衬底上;在所述线路衬底上邻近所述半导体封装设置无源器件;通过在所述线路衬底上施配聚合物墨水材料且将所述聚合物墨水材料固化以形成障壁结构而在所述线路衬底上邻近所述无源器件形成所述障壁结构;以及通过粘合材料将盖结构贴合在所述线路衬底上,其中所述障壁结构将所述无源器件与所述盖结构及所述粘合材料隔开,且所述粘合材料接触所述障壁结构。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明,能最好地理解本公开的各个方面。注意,根据行业中的标准惯例,各种特征并非按比例绘制。事实上,为使论述清晰起见,可任意增大或减小各种特征的关键尺寸。

图1A到图1G是根据本公开一些示例性实施例的制作半导体封装的方法中的各个阶段的示意性剖视图。

图2A到图2C是根据本公开一些示例性实施例的制作封装结构的方法中的各个阶段的示意性剖视图。

图3是根据本公开一些示例性实施例的封装结构的放大剖视图。

图4是根据本公开一些其他示例性实施例的封装结构的放大剖视图。

图5是根据本公开一些其他示例性实施例的封装结构的放大剖视图。

图6是根据本公开一些其他示例性实施例的封装结构的放大剖视图。

图7是根据本公开一些其他示例性实施例的封装结构的放大剖视图。

图8是根据本公开一些示例性实施例的封装结构的俯视图。

图9是根据本公开一些其他示例性实施例的封装结构的俯视图。

图10是根据本公开一些其他示例性实施例的封装结构的俯视图。

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