[发明专利]获取晶圆边缘的导通电阻的方法

权利要求书

1.一种获取晶圆边缘的导通电阻的方法，其特征在于，所述方法包括：

利用若干个样本晶圆，建立导通电阻漂移值与偏移距离的拟合函数模型，所述偏移距离是晶圆边缘与测量夹具的中心区域内预定位置之间的距离；

获取待测试晶圆边缘的导通电阻，记为初始导通电阻；

获取所述待测试晶圆边缘对应的偏移距离；

将所述待测试晶圆边缘对应的偏移距离带入所述拟合函数模型，得到所述待测试晶圆的导通电阻漂移值；

根据所述初始导通电阻和所述导通电阻漂移值，得到所述待测试晶圆边缘的导通电阻校正值；

其中，所述样本晶圆与所述待测试晶圆的产品类型相同；

所述利用若干个样本晶圆，建立导通电阻漂移值与偏移距离的拟合函数模型，包括：

选取N片样本晶圆，利用测量夹具获取每片样本晶圆边缘上M个样本die的导通电阻，记为初始样本导通电阻；

将所述样本die从所述测量夹具的边缘移动至所述测量夹具的中心区域中的预定位置，并再次获取所述样本die的导通电阻，记为辅助样本导通电阻；

针对每个样本die，获取所述样本die的大小、所述样本die的移动方向，其中，所述样本die的移动方向指的是样本die在获取初始样本导通电阻时的位置相对于在获取辅助样本导通电阻时的预定位置的方向；

根据所述样本die所在的样本晶圆的尺寸、所述样本die的大小、所述样本die的移动方向计算出所述样本die与所述测量夹具的中心区域中预定位置之间的距离，记为样本偏移距离；

根据所述初始样本导通电阻和所述辅助样本导通电阻，确定样本导通电阻漂移值；

根据所述样本导通电阻漂移值和所述样本偏移距离，拟合得到导通电阻漂移值与偏移距离的拟合函数模型。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测量夹具的中心区域是以所述测量夹具的中心为圆心，半径为预定值的圆形区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述M个样本die位于所述样本晶圆上的至少4个的方向上。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，N为大于等于3的整数；

M为大于等于4的整数，或，M为大于等于8的整数。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述初始样本导通电阻和所述辅助样本导通电阻，确定样本导通电阻漂移值，包括：

将所述初始样本导通电阻减去所述辅助样本导通电阻，得到样本导通电阻漂移值；

每个样本导通漂移值对应一个样本偏移距离。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述初始导通电阻和所述导通电阻漂移值，得到所述待测试晶圆边缘的导通电阻校正值，包括：

将所述初始导通电阻减去所述导通电阻漂移值，得到所述待测试晶圆边缘的导通电阻校正值。