[发明专利]获取晶圆边缘的导通电阻的方法

说明书

本申请公开了一种获取晶圆边缘的导通电阻的方法，涉及半导体制造领域。该方法包括利用若干个样本晶圆，建立导通电阻漂移值与偏移距离的拟合函数模型，偏移距离是晶圆边缘与测量夹具的中心区域内预定位置之间的距离；获取待测试晶圆边缘的导通电阻，记为初始导通电阻；获取待测试晶圆边缘对应的偏移距离；将待测试晶圆边缘对应的偏移距离带入拟合函数模型，得到待测试晶圆的导通电阻漂移值；根据初始导通电阻和导通电阻漂移值，得到待测试晶圆边缘的导通电阻校正值；解决了目前由于测量夹具本身特性，容易令测得的晶圆边缘的导通电阻偏大的问题；达到了校正晶圆边缘的导通电阻，减小测试误差，提高测试数据的稳定性、准确性的效果。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种获取晶圆边缘的导通电阻的方法。

背景技术

导通电阻为在特定的栅源电压(Vgs)、漏端电流(Id)条件下，MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，金属-氧化物-半导体场效应管)导通时漏源间的最大阻抗。导通电阻决定了MOSFET导通时的消耗功率。

在晶圆上的芯片制作完成后，在晶圆级别会进行导通电阻测试。在测试时，将待测晶圆的背面与探针台连接，将晶圆正面的芯片与探针卡中的探针连接。在导通电阻的测试过程中，导通电阻的阻值收到多种因素的影响，导通电阻R_dson可以由如下公式表示：

R_dson＝R_source+R_ch+R_accumulation+R_epi+R_sub+R_test，

其中，R_source表示源端电阻，R_ch表示晶圆与夹具(chuck)的接触电阻，R_accumulation表示累积电阻，R_epi表示外延电阻，R_sub表示衬底电阻，R_test表示测试回路造成的电阻。

由于夹具本身的特性，比如负压分布不均匀、表面平整度不同等，夹具边缘与晶圆的接触电阻R_cedge大于夹具中心与晶圆的接触电阻R_ccenter，导致测得的晶圆边缘的导通电阻阻值大于晶圆其他区域的导通电阻阻值，降低测试数据的准确性。

发明内容

为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种获取晶圆边缘的导通电阻的方法。该技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种获取晶圆边缘的导通电阻的方法，该方法包括：

利用若干个样本晶圆，建立导通电阻漂移值与偏移距离的拟合函数模型，偏移距离是晶圆边缘与测量夹具的中心区域内预定位置之间的距离；

获取待测试晶圆边缘的导通电阻，记为初始导通电阻；

获取待测试晶圆边缘对应的偏移距离；

将待测试晶圆边缘对应的偏移距离带入拟合函数模型，得到待测试晶圆的导通电阻漂移值；

根据初始导通电阻和导通电阻漂移值，得到待测试晶圆边缘的导通电阻校正值；

其中，样本晶圆与待测试晶圆的产品类型相同。

可选的，利用若干个样本晶圆，建立导通电阻漂移值与偏移距离的拟合函数模型，包括：

选取N片样本晶圆，利用测量夹具获取每片样本晶圆边缘上M个样本die的导通电阻，记为初始样本导通电阻；

将样本die从测量夹具的边缘移动至测量夹具的中心区域中的预定位置，并再次获取样本die的导通电阻，记为辅助样本导通电阻；